[实用新型]一种晶体硅太阳电池背面电极结构有效
| 申请号： | 201320537009.7 | 申请日： | 2013-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN203491270U | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李钢;徐振华;杨晓君 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 背面 电极 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅太阳电池背面电极结构，在晶体硅太阳电池背面设置有钝化层，在钝化层表面设置晶体硅太阳电池背面电极，钝化层上开有孔或槽，其特征在于，晶体硅太阳电池背面电极由主栅线和网状背场组成，网状背场包括与主栅线平行的平行线，以及与主栅线垂直的垂直线。
2. 根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，背面电极覆盖的钝化层上开有穿透钝化层的孔或槽。
3. 根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，主栅线为银浆或银铝浆，条数≥2条。
4. 根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，主栅线条数为3条。
5. 根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，主栅线的最大宽度为4mm。
6. 根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，网状背场为铝浆。
7. 根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，网状背场的平行线最小宽度为1mm。
8. 根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，网状背场的垂直线最小宽度为1mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
