[实用新型]过滤器以及酸洗设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体设备，特别涉及一种湿法清洗中的过滤器以及酸洗设备。

背景技术

在半导体制造中，需要涉及到许许多多的工序，每道工序都是由一定的工艺及设备完成。湿法清洗是绝大多数产品在制造过程中所必经的一步，湿法清洗的效果的优劣直接影响着产品的质量，因此，对湿法清洗的设备就有着严格的要求。

目前，由于半导体制造的大批量化，以及在湿法清洗时酸液不可能一次就消耗完，因而多是采用对酸液加以循环利用以尽可能节省成本。由于新的酸液在进行第一次使用后必然会引入杂质，所以在下一次对其利用时，其中的杂质会影响酸液的质量和使用效果，因此，需要将酸液中的杂质去除，以使得酸液的成分符合要求，从而继续进行清洗。介于此，业界在清洗设备中加入了过滤器，所述过滤器中设置有滤网，以将上一次清洗后的杂质去除，以免对下一次清洗产生影响。

由于半导体制造的精密性，对酸液的要求也较高，就目前的材料而言，只能够保证滤网在一定的期限内能够满足工艺的需要，而这一期限通常是由厂家经过试验获得。不可否认的是，在实际生产中会出现各种各样的问题，那么就有可能使得滤网在期限内受到破坏，例如被堵塞、破损等情况，这时，过滤器对酸液的过滤就可能达不到要求，而这目前只能在后续操作中才能发现问题，从而造成较大的损失。

因此，需要对现有技术加以改善，使得能够及时知晓过滤器尤其是滤网的质量情况，以尽早发现异常，降低损失。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种过滤器以及酸洗设备，解决现有技术中不能够掌握过滤器在使用过程中质量是否合格的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种过滤器，用于半导体湿法清洗中对酸液进行过滤，包括：

壳体以及位于所述壳体中的滤网；

其中，所述壳体包括侧壁，所述侧壁由内至外包括内壁、感压膜及外壁，所述感压膜侦测所述过滤器内的压强并传递信号至外界。

可选的，对于所述的过滤器，所述侧壁的形状为圆筒形，所述滤网的形状为一端敞开的空心圆柱形，所述滤网的高度及底面积均小于所述侧壁的高度及底面积。

可选的，对于所述的过滤器，所述过滤器进一步包括与所述侧壁相连接的顶板和底板，所述滤网的敞开一端连接于所述顶板，所述滤网与所述侧壁及所述底板之间具有空隙，所述酸液经过所述空隙。

可选的，对于所述的过滤器，所述过滤器包括穿过所述侧壁的一进液管和一排液管，所述滤网包括一开口，所述开口和所述排液管相连通；所述进液管与所述空隙相连通，所述酸液由所述进液管进入所述空隙，经所述滤网过滤后渗入所述滤网中，并经由所述开口和排液管排出。

可选的，对于所述的过滤器，所述过滤器还包括一穿过所述底板的废液排放口，经所述滤网过滤后的废液由所述废液排放口排出。

可选的，对于所述的过滤器，所述过滤器还包括一显示屏，所述感压膜侦测到的压强由所述显示屏显示。

相应的，本实用新型还提供一种酸洗设备，用于半导体制造过程中对晶圆进行清洗，所述酸洗设备包括酸槽、过滤器，所述酸液经所述过滤器后进入酸槽对待清洗晶圆进行清洗；其中，所述过滤器为如上所述的过滤器。

与现有技术相比，在本实用新型提供的过滤器以及酸洗设备中，在所述过滤器中设置有感压膜，能够实时侦测过滤器中的压强变化，从而间接反映处滤网的质量，能够及时发现异常，降低乃至避免损失。

附图说明

图1为本实用新型一实施例的过滤器的结构示意图；

图2为本实用新型一实施例的过滤器的侧壁的结构示意图；

图3为本实用新型的过滤器在多个时间段中记录的数据的图表。

具体实施方式

在背景技术中已经提及，目前的设备存在不能够知晓过滤器在使用过程中的质量状况，只能在发生故障后在后段发现。发明人研究后发现，当滤网出现异常状况时，其周边的压强会随之变动，而正常情况下，压强是基本不会变化，那么，若能够侦测内部的压强变动，就能够表征出滤网的质量状况。

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提供的过滤器以及酸洗设备作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。