[实用新型]电源阵列模拟器的并联均流型快速动态功率调整电路

权利要求书

1.一种电源阵列模拟器的并联均流型快速动态功率调整电路，其特征在于：包括用于接收FET-CONTROL信号的高精度运放电路（1），其输出端依次通过第一、二级增强高速驱动电路（2、3）与大功率开关变换电路（4）的输入端相连，大功率开关变换电路（4）的输出端与渐进式饱和电路（5）的输入端相连，渐进式饱和电路（5）的输出端与IGC电流取样电路（6）的输入端相连。

2.根据权利要求1所述的电源阵列模拟器的并联均流型快速动态功率调整电路，其特征在于：所述高精度运放电路（1）包括由第一、二运放N1B、N1A组成的双运算放大器，第一运放N1B的正相输入端通过熔断器F1接FET-CONTROL信号，第一运放N1B的正相输入端与第二运放N1A的正相输入端相连，第一运放N1B的反相输入端与二极管阵列V3的第1引脚相连，二极管阵列V3的第2引脚与第一运放N1B的输出端相连，二极管阵列V3的第3引脚接第二运放N1A的第8引脚，二极管阵列V13的第1引脚接第二运放N1A的反相输入端，二极管阵列V13的第2引脚接第二运放N1A的输出端，二极管阵列V13的第3引脚通过电容C21接地，第一、二运放N1B、N1A的输出端均与第一级增强高速驱动电路（2）的输入端相连。

3.根据权利要求2所述的电源阵列模拟器的并联均流型快速动态功率调整电路，其特征在于：所述第一级增强高速驱动电路（2）包括MOS管V1、V2、V11、V12，MOS管V1的栅极与MOS管V2的栅极相连后接第一运放N1B的输出端，MOS管V1的漏极通过电阻R3与MOS管V2的源极相连后接第二级增强高速驱动电路（3）的输入端，MOS管V2的源极通过电阻R6接地，MOS管V2的漏极接地；MOS管V11的栅极与MOS管V12的栅极相连后接第二运放N1A的输出端，MOS管V11的漏极通过电阻R14与MOS管V12的源极相连后接第二级增强高速驱动电路（3）的输入端，MOS管V12的源极通过电阻R17接地，MOS管V12的漏极接地。

4.根据权利要求3所述的电源阵列模拟器的并联均流型快速动态功率调整电路，其特征在于：所述第二级增强高速驱动电路（3）包括三极管V4、V5、V14、V15，三极管V4、V5的基极相连后通过电阻R5接MOS管V2的源极，三极管V4的发射极与三极管V5的发射极相连，大功率开关变换电路（4）的输入端接在三极管V4、V5的发射极之间，三极管V5的集电极接二极管阵列V8的第1引脚，二极管阵列V8的第3引脚与三极管V15的集电极相连，三极管V15、V14的发射极相连，大功率开关变换电路（4）的输入端接在三极管V14、V15的发射极之间，三极管V14、V15的基极相连后通过电阻R16接MOS管V12的源极。

5.根据权利要求4所述的电源阵列模拟器的并联均流型快速动态功率调整电路，其特征在于：所述大功率开关变换电路（4）包括MOS管V7、V17，MOS管V7的栅极通过电阻R7接在三极管V4、V5的发射极之间，MOS管V7的源极与渐进式饱和电路（5）的输入端相连；MOS管V17的栅极通过电阻R18接在三极管V14、V15的发射极之间，MOS管V17的源极与渐进式饱和电路（5）的输入端相连。

6.根据权利要求5所述的电源阵列模拟器的并联均流型快速动态功率调整电路，其特征在于：所述渐进式饱和电路（5）包括渐进式饱和电感L1、L11，渐进式饱和电感L1的一端通过电阻R9接MOS管V7的源极，渐进式饱和电感L1的另一端接地，电阻R10的一端与电阻R9相连，电阻R10的另一端通过电阻R11接地；渐进式饱和电感L11的一端通过电阻R20接MOS管V17的源极，渐进式饱和电感L11的另一端接地，电阻R21的一端与电阻R20相连，电阻R21的另一端通过电阻R22接地。

7.根据权利要求6所述的电源阵列模拟器的并联均流型快速动态功率调整电路，其特征在于：所述IGC电流取样电路（6）包括取样电阻R25，其第1引脚分别与渐进式饱和电感L1、L11的一端相连，其4脚接电路的输出正端+OUT，其检测端即第2、3脚分别与高阻检测端+Is和-Is相连。