[实用新型]太阳电池阵抗辐照玻璃盖片有效
申请号: | 201320474524.5 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN203398137U | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 赵宇;肖志斌;铁剑锐;许军 | 申请(专利权)人: | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 辐照 玻璃 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳电池阵技术领域,特别是涉及太阳电池阵抗辐照玻璃盖片。
背景技术
太阳电池阵是用单体太阳电池组成的方阵将光能转换成电能的电源系统,可广泛应用于各领域,具有可靠性高﹐寿命长﹐转换效率高等优点。为了保证太阳电池阵受光表面免受外界恶劣环境的侵害,通常在太阳方阵受光表面覆有玻璃盖片。
目前,覆盖在太阳方阵受光表面的整体玻璃盖片,是由多个单体玻璃盖片串联在一起构成。单体玻璃盖片大多采用掺杂5%二氧化铈的硼硅酸盐作为玻璃衬底,由于其折射率为1.526,入射太阳光在界面的反射损失为4%,则在玻璃衬底表面沉积一层起增透作用的氟化镁薄膜,使入射太阳光在界面的反射损失降低到1%。但是由于氟化镁薄膜不导电,使得太阳电池阵存在充电不均匀的问题,为此在氟化镁薄膜表面蒸镀一层导电性能和透明度良好的氧化铟锡(ITO)膜。而ITO材料又存在在可见光波段对太阳光有吸收和与氟化镁材料之间存在匹配问题,当蒸镀在氟化镁薄膜表面的ITO膜过厚会降低电池对光的吸收效率,而影响电池阵的光电转换效率;ITO膜过薄则容易在氟化镁薄膜上脱落,降低了太阳电池阵工作的可靠性。
发明内容
本实用新型为解决公知技术中存在的技术问题而提供一种不影响电池阵的光电转换效率、ITO膜不脱落,保证太阳电池阵在恶劣环境中能够可靠工作的太阳电池阵抗辐照玻璃盖片。
本发明采取的技术方案是:
太阳电池阵抗辐照玻璃盖片,包括通过汇流条串联成一体的复数个单体玻璃盖片,相邻单体玻璃盖片之间连接互联条;所述单体玻璃盖片包括蒸镀在长方形玻璃衬底一面的氟化镁薄膜,其特点是:氟化镁薄膜上蒸镀烧结有纳米级ITO薄膜,ITO薄膜两角处蒸镀有多层结构电极。
本发明还可以采用如下技术措施:
所述纳米级ITO薄膜的厚度为8-15nm。
所述多层结构电极为钛-钯-银电极。
所述钛-钯-银电极中钛的厚度为300nm、钯的厚度为100nm、银的厚度为5000nm。
所述氟化镁薄膜的厚度为50nm。
本实用新型具有的优点和积极效果是:
1、本实用新型采用全自动电子束加热真空蒸镀机,在氟化镁薄膜上蒸镀出厚度为8-15nm的纳米级ITO薄膜,在400nm-1800nm波段范围内平均光谱透过率接近93%,既保护了电池阵,使其不受恶劣环境的侵害,有效起到抗辐照的作用,又不会造成因影响电池对光的吸收效率而降低电池阵的光电转换效率;
2、本实用新型通过烧结对ITO薄膜进行退火处理,确保ITO薄膜与氟化镁薄膜之间的结合能力,ITO薄膜不脱落,提高了ITO薄膜的牢固度。
3、本实用新型采用钛-钯-银多层金属化电极结构,提高了电极和ITO薄膜之间的附着能力,大幅提高了电极的抗拉力强度,确保了太阳电池阵在各种复杂环境中工作的可靠性。
附图说明
图1是本实用新型太阳电池阵抗辐照玻璃盖片结构示意图;
图2是图1中单体玻璃盖片结构主视示意图;
图3是图2的俯视示意图。
图中,1-玻璃衬底,2-氟化镁薄膜,3-ITO薄膜,4-电极,5-互联条,6-ITO薄膜汇流条。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的发明内容、特点及功效,兹例举以下实施例,并配合附图详细说明如下:
太阳电池阵抗辐照玻璃盖片,包括通过汇流条串联成一体的复数个单体玻璃盖片,相邻单体玻璃盖片之间连接互联条;所述单体玻璃盖片包括蒸镀在长方形玻璃衬底一面的氟化镁薄膜。
本实用新型的创新点是:
氟化镁薄膜上蒸镀烧结有纳米级ITO薄膜,ITO薄膜两角处蒸镀有多层结构电极。
本实用新型的创新点还包括:
所述纳米级ITO薄膜的厚度为8-15nm。
所述多层结构电极为钛-钯-银电极。
所述钛-钯-银电极中钛的厚度为300nm、钯的厚度为100nm、银的厚度为5000nm。
所述氟化镁薄膜的厚度为50nm。
实施例:
本实用新型的制作过程:
首先,在六个相同尺寸的长方形硼硅酸盐玻璃衬底1上分别蒸镀出50nm的氟化镁薄膜2,然后进行以下步骤的制作:
⑴蒸镀ITO薄膜
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的