[实用新型]太阳电池阵抗辐照玻璃盖片有效
| 申请号： | 201320474524.5 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN203398137U | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 赵宇;肖志斌;铁剑锐;许军 | 申请（专利权）人： | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳电池 辐照 玻璃 | ||
【权利要求书】：
1.太阳电池阵抗辐照玻璃盖片，包括通过汇流条串联成一体的复数个单体玻璃盖片，相邻单体玻璃盖片之间连接互联条；所述单体玻璃盖片包括蒸镀在长方形玻璃衬底一面的氟化镁薄膜，其特征在于：氟化镁薄膜上蒸镀烧结有纳米级ITO薄膜，ITO薄膜两角处蒸镀有多层结构电极。
2.根据权利要求1所述的太阳电池阵抗辐照玻璃盖片，其特征在于：所述纳米级ITO薄膜的厚度为8-15nm。
3.根据权利要求1所述的太阳电池阵抗辐照玻璃盖片，其特征在于：所述多层结构电极为钛-钯-银电极。
4.根据权利要求3所述的太阳电池阵抗辐照玻璃盖片，其特征在于：所述钛-钯-银电极中钛的厚度为300nm、钯的厚度为100nm、银的厚度为5000nm。
5.根据权利要求1所述的太阳电池阵抗辐照玻璃盖片，其特征在于：所述氟化镁薄膜的厚度为50nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所，未经天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320474524.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种智能电池接线片改进结构
- 下一篇：减薄柔性三结砷化镓太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
