[实用新型]一种具有在位打磨装置的非晶薄带制取装置有效

专利信息
申请号: 201320463624.8 申请日: 2013-07-31
公开(公告)号: CN203459648U 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 刘东俊 申请(专利权)人: 临沂飞宏电子科技有限公司
主分类号: B22D11/06 分类号: B22D11/06;B22D11/128
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 在位 打磨 装置 非晶薄带 制取
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及非晶合金制造技术领域,尤其涉及一种具有在位打磨装置的非晶薄带制取装置。

背景技术

金属在熔化后,内部原子处于活跃状态。一旦金属开始冷却,原子就会随着温度的下降,而慢慢地按照一定的晶态规律有序地排列起来,形成晶体。但如果冷却过程很快,原子还来不及重新排列就被凝固住了,由此就产生了非晶态合金。制备非晶态合金采用的正是一种快速凝固的工艺,将处于熔融状态的高温钢水喷射到高速旋转的冷却辊上,钢水以每秒百万度的速度迅速冷却,仅用千分之一秒的时间就将1300℃的钢水降到200℃以下,形成非晶带材。

非晶态合金与晶态合金相比,在物理性能、化学性能和机械性能方面都发生了显著的变化。以铁元素为主的非晶态合金为例,它具有高饱和磁感应强度和低损耗的特点。由于这样的特性,非晶态合金材料在电子、航空、航天、机械、微电子等众多领域中具备了广阔的应用空间。正是因为非晶材料这样一系列优良特性,国内外均对其开展了系统性的理论与应用研究,国内对非晶合金的研究从1976年开始,国家科委一直将非晶合金的研究、开发、产业化列入重大科技攻关项目。在国际上,美日等西方发达国家也开展了大量的基础性研究。经过几十年的科研攻关,非晶材料的产业化应用取得了长足的进步。

由于在制作非晶带材时,钢水与高速旋转的冷却辊辊面长时间接触,冷却辊表面的光洁度经过钢水的冲刷及热腐蚀后,光洁度明显下降,并且使冷却辊表面层的品粒逐步长大,从而增加了钢水与辊面的热阻,并使得紧贴辊面的带材表观质量恶化,使得产品质量性能下降。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术存在的不足,提供一种具有在位打磨装置的非晶薄带制取装置,该实用新型能够优化冷却辊的表面光洁度,保证非晶薄带的质量。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的:一种具有在位打磨装置的非晶薄带制取装置,包括冶炼机构、喷流机构、冷却机构和修磨器,所述冶炼机构上设置有泄流口,泄流口下方设置有喷流机构,所述喷流机构顶部设置有进液口,喷流机构内设置有流道,喷流机构底部设置有四块氮化硼陶瓷片,喷流机构下方设置有冷却机构,所述冷却机构的两侧均设置有一修磨器,所述修磨器紧靠冷却机构。

优选的,所述四块氮化硼陶瓷片围成0.1mm-1.0mm的喷缝,四块氮化硼陶瓷片外围通过耐火泥或高温胶与喷流机构固定连接,氮化硼陶瓷片连接螺杆。

优选的,所述冷却机构具有柱形工作面,所述修磨器为轮形,修磨器的外表面与柱形工作面接触。

本实用新型的有益效果是:本实用新型在冷却机构两侧设置了修磨器,在冷却机构被金属液冲刷的同时,对其柱形工作面进行打磨,修正柱形工作面的光洁度,从而使其光洁度始终保持在合理的范围内,使制造出的非晶薄带保持前后一致。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图;

图2为本实用新型喷流机构的放大结构示意图;

图3为图2的仰视图;

其中,1—冶炼机构;2—泄流口;3—喷流机构;4—进液口;5—流道;6—氮化硼陶瓷片;7—冷却机构;8—修磨器;9—喷缝;10—耐火泥;11—螺杆。

具体实施方式

为能清楚说明本方案的技术特点,下面通过一个具体实施方式,并结合其附图,对本方案进行阐述。

通过附图可以看出,本方案的具有在位打磨装置的非晶薄带制取装置,包括冶炼机构1、喷流机构3、冷却机构7和修磨器8,所述冶炼机构1上设置有泄流口2,泄流口2下方设置有喷流机构3,所述喷流机构3顶部设置有进液口4,喷流机构3内设置有流道5,喷流机构3底部设置有四块氮化硼陶瓷片6,喷流机构3下方设置有冷却机构7,所述冷却机构7的两侧均设置有一修磨器8,所述修磨器8紧靠冷却机构7。

进一步的,所述四块氮化硼陶瓷片6围成0.1mm-1.0mm的喷缝9,四块氮化硼陶瓷片6外围通过耐火泥10与喷流机构3固定连接,氮化硼陶瓷片6连接螺杆11。

进一步的,所述冷却机构7具有柱形工作面,所述修磨器8为轮形,修磨器8的外表面与柱形工作面接触。

本实用新型在冷却机构7两侧设置了修磨器8,在冷却机构7被金属液冲刷的同时,对其柱形工作面进行打磨,修正柱形工作面的光洁度,从而使其光洁度始终保持在合理的范围内,使制造出的非晶薄带保持前后一致。

以上公开的仅为本实用新型的一个较佳实施例,但并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的修改、润色、等同替换等,均应包含在本实用新型的保护范围之内,此外,本实用新型未详述之处,均为本技术领域技术人员的公知技术。

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