[实用新型]一种圆弧结构优化的磁芯有效

专利信息
申请号: 201320462992.0 申请日: 2013-07-31
公开(公告)号: CN203406121U 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 罗涛 申请(专利权)人: 深圳市铂科磁材有限公司
主分类号: H01F3/00 分类号: H01F3/00;H01F27/24;H01F27/26
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 罗志伟;胡玉
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 圆弧 结构 优化
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及磁芯,尤其涉及一种用于节省材料的圆弧结构优化的磁芯。

背景技术

现有磁芯存在材料浪费的问题,材料的利用率较低。

发明内容

为了解决现有技术中的问题,本实用新型提供了一种用于节省材料的圆弧结构优化的磁芯。

本实用新型提供了一种圆弧结构优化的磁芯,包括均为磁体的磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭,所述心柱磁芯位于所述磁芯上轭、磁芯下轭之间,所述心柱磁芯的顶端与所述磁芯上轭相接触,所述心柱磁芯的底端与所述磁芯下轭相接触,所述磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭形成闭合磁路,所述磁芯上轭的左右两端分别设有上圆弧部,所述磁芯下轭的左右两端分别设有下圆弧部。

作为本实用新型的进一步改进,所述磁芯上轭、磁芯下轭相平行,所述心柱磁芯垂直于所述磁芯上轭、磁芯下轭。

作为本实用新型的进一步改进,所述上圆弧部的圆弧位于所述心柱磁芯在所述磁芯上轭的垂直投影之外。

作为本实用新型的进一步改进,所述下圆弧部的圆弧位于所述心柱磁芯在所述磁芯下轭的垂直投影之外。

作为本实用新型的进一步改进,所述上圆弧部的半径大于所述心柱磁芯的半径。

作为本实用新型的进一步改进,所述下圆弧部的半径大于所述心柱磁芯的半径。

作为本实用新型的进一步改进,所述心柱磁芯为圆柱体。

作为本实用新型的进一步改进,所述心柱磁芯至少有二个并平行设置。

作为本实用新型的进一步改进,所述上圆弧部为半圆。

作为本实用新型的进一步改进,所述下圆弧部为半圆。

本实用新型的有益效果是:通过上述方案,在磁芯上轭的左右两端分别设置上圆弧部,在磁芯下轭的左右两端分别设置下圆弧部,解决了磁芯上轭、磁芯下轭四个边角不走磁路而浪费材料的问题。

附图说明

图1是本实用新型一种圆弧结构优化的磁芯的主视图;

图2是本实用新型一种圆弧结构优化的磁芯的俯视图;

图3是本实用新型一种圆弧结构优化的磁芯的右视图。

具体实施方式

下面结合附图说明及具体实施方式对本实用新型进一步说明。

图1至图3中的附图标号为:磁芯上轭1;上圆弧部11;磁芯下轭2;下圆弧部21;心柱磁芯3。

如图1至图3所示,一种圆弧结构优化的磁芯,包括均为磁体的磁芯上轭1、心柱磁芯3和磁芯下轭2,所述心柱磁芯3位于所述磁芯上轭1、磁芯下轭2之间,所述心柱磁芯3的顶端与所述磁芯上轭1相接触,所述心柱磁芯3的底端与所述磁芯下轭2相接触,所述磁芯上轭1、心柱磁芯3和磁芯下轭2形成闭合磁路,所述磁芯上轭1的左右两端分别设有上圆弧部11,所述磁芯下轭2的左右两端分别设有下圆弧部21。

如图1至图3所示,所述磁芯上轭1、磁芯下轭2相平行,所述心柱磁芯3垂直于所述磁芯上轭1、磁芯下轭2。

如图1至图3所示,所述上圆弧部11的圆弧位于所述心柱磁芯3在所述磁芯上轭1的垂直投影之外。

如图1至图3所示,所述下圆弧部21的圆弧位于所述心柱磁芯3在所述磁芯下轭2的垂直投影之外。

如图1至图3所示,所述上圆弧部11的半径大于所述心柱磁芯3的半径。

如图1至图3所示,所述下圆弧部21的半径大于所述心柱磁芯3的半径。

如图1至图3所示,所述心柱磁芯3为圆柱体。

如图1至图3所示,所述心柱磁芯3至少有二个并平行设置。

如图1至图3所示,所述上圆弧部11为半圆。

如图1至图3所示,所述下圆弧部21为半圆。

本实用新型提供的一种圆弧结构优化的磁芯,在磁芯上轭1的左右两端分别设置上圆弧部11,在磁芯下轭2的左右两端分别设置下圆弧部21,解决了磁芯上轭1、磁芯下轭2四个边角不走磁路而浪费材料的问题。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。

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