[实用新型]一种圆弧结构优化的磁芯有效
申请号: | 201320462992.0 | 申请日: | 2013-07-31 |
公开(公告)号: | CN203406121U | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 罗涛 | 申请(专利权)人: | 深圳市铂科磁材有限公司 |
主分类号: | H01F3/00 | 分类号: | H01F3/00;H01F27/24;H01F27/26 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 罗志伟;胡玉 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 圆弧 结构 优化 | ||
1.一种圆弧结构优化的磁芯,其特征在于:包括均为磁体的磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭,所述心柱磁芯位于所述磁芯上轭、磁芯下轭之间,所述心柱磁芯的顶端与所述磁芯上轭相接触,所述心柱磁芯的底端与所述磁芯下轭相接触,所述磁芯上轭、心柱磁芯和磁芯下轭形成闭合磁路,所述磁芯上轭的左右两端分别设有上圆弧部,所述磁芯下轭的左右两端分别设有下圆弧部。
2.根据权利要求1所述的圆弧结构优化的磁芯,其特征在于:所述磁芯上轭、磁芯下轭相平行,所述心柱磁芯垂直于所述磁芯上轭、磁芯下轭。
3.根据权利要求2所述的圆弧结构优化的磁芯,其特征在于:所述上圆弧部的圆弧位于所述心柱磁芯在所述磁芯上轭的垂直投影之外。
4.根据权利要求2所述的圆弧结构优化的磁芯,其特征在于:所述下圆弧部的圆弧位于所述心柱磁芯在所述磁芯下轭的垂直投影之外。
5.根据权利要求2所述的圆弧结构优化的磁芯,其特征在于:所述上圆弧部的半径大于所述心柱磁芯的半径。
6.根据权利要求2所述的圆弧结构优化的磁芯,其特征在于:所述下圆弧部的半径大于所述心柱磁芯的半径。
7.根据权利要求2所述的圆弧结构优化的磁芯,其特征在于:所述心柱磁芯为圆柱体。
8.根据权利要求2所述的圆弧结构优化的磁芯,其特征在于:所述心柱磁芯至少有二个并平行设置。
9.根据权利要求2所述的圆弧结构优化的磁芯,其特征在于:所述上圆弧部为半圆。
10.根据权利要求2所述的圆弧结构优化的磁芯,其特征在于:所述下圆弧部为半圆。
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