[实用新型]打线端子及具有该打线端子的IGBT功率模块有效
申请号: | 201320442019.2 | 申请日: | 2013-07-24 |
公开(公告)号: | CN203423165U | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 曹来来 | 申请(专利权)人: | 曹来来 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 端子 具有 igbt 功率 模块 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种打线端子,特别涉及一种用于IGBT功率模块的打线端子。
背景技术
IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)构成的功率模块。目前,现有技术中的IGBT功率模块的打线端子主要以T2铜材作为基底,然后在其上镀上一层镍,在封装的过程中,需要打上铝线。
而铝与镍的熔点不是很理想,因此在现有技术实践中,铝线不容易打上去,一旦铝线打不上去,整个产品就会报废,造成很大的浪费。
实用新型内容
因此,本实用新型的目的是提供一种新型的打线端子,用于将导线封装在所述打线端子上,来克服上述现有技术中存在的缺陷,其中,本实用新型的打线端子包括端子本体,所述端子本体包括打线部位,所述打线部位的表面镀有金属层,所述金属层的材料与所述导线的材料相同。
优选地,所述导线的材料和金属层的材料均为铝。
采用上述结构,由于铝导线与金属层的铝容易结合,因此解决了铝导线不容易打在IGBT功率模块的端子的打线部位的技术问题。
本实用新型还进一步提出了具有上述打线端子的IGBT功率模块。
附图说明
图1是本实用新型的打线端子一实施例的结构示意图。
图2是本实用新型的端子本体一实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图给出本实用新型实施例,以详细说明本实用新型的技术方案。
如图1所示,为本实用新型的打线端子一个实施例的结构示意图。其中,打线端子包括多个连接在一起的端子本体1。优选地,所述打线端子通过冲裁和裁切制成。
图2所示的是一个端子本体的结构示意图。其中,端子本体1包括打线部位12。所述打线部位的表面镀有金属层,所述金属层的材料与所述导线的材料相同。优选地,所述导线的材料和金属层的材料均为铝。由于铝导线与金属层的铝容易结合,因此解决了铝导线不容易打在IGBT功率模块的端子的打线部位的技术问题。
同时,本实用新型还进一步保护了具有上述打线端子的IGBT功率模块。
以上通过示例性实施例的方式对本实用新型进行示例性的说明,但本实用新型并不局限于此。应该理解为,在不偏离本实用新型的构思、工作原理的情况下,以上实施例中的设备、材料、安装使用可通过本技术领域人员知悉的其它替换或等同方法来替换。本实用新型不局限于上述最佳实施方式,任何人在本实用新型的启示下都可得出其他各种形式的产品,但不论在其形状或结构上作任何变化,凡是具有与本申请相同或相近似的技术方案,均落在本实用新型的保护范围之内。
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