[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201320437125.1 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN203339144U | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 下田一郎 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其具有：
功率元件；
第1下垫板，其在一个主面上通过第1导电性粘合剂载置了所述功率元件；
散热板，其在一个主面上通过绝缘性粘合剂载置了所述第1下垫板；以及
密封树脂体，其以所述散热板的另一个主面露出的方式对所述功率元件、所述第1下垫板以及所述散热板进行密封，
该半导体装置的特征在于，
所述第1下垫板在另一个主面上具有至少2个以上的槽部，
所述槽部并行于所述第1下垫板相邻且相对的缘部而延伸，且末端被开口。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述槽部越趋近末端槽越深。
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