[实用新型]一种反应腔体清洁装置及化学气相沉积设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，特别涉及一种反应腔体清洁装置及化学气相沉积设备。

背景技术

化学气相沉积（英文：Chemical Vapor Deposition，以下简称CVD）是通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺。随着半导体工业的发展，利用CVD技术生成薄膜材料在半导体工业中也有着广泛的应用。在进行化学气相沉积的工艺过程中，随着反应的进行在反应腔体内会产生一些粉尘，如果不能将反应腔体内的粉尘清洗掉，就会影响CVD制作工艺。

图1为现有技术中的CVD反应腔体清洁装置，如图1所示，该装置包括：反应腔体10、管道11、加热套14、干泵12以及对粉尘和气体进行处理的终端处理装置13。在反应腔体10内部清洗后会产生大量的粉尘、气体或粉尘和气体混合物，所产生的粉尘和气体经过管道11，管道11的外部设置有加热套14，用于保持管道11的温度，避免粉尘受到外界温度的影响而聚集，经过处理后的粉尘和气体通过抽真空的干泵12进入终端处理装置13中进行粉尘的溶解和气体的燃烧。

现有技术存在的问题是：在短期内干泵12和终端处理装置13运行不会存在太多问题，但长期运行后，粉尘在管道11和干泵12中逐渐积累，将增大干泵12的运行压力。同时，反应腔体10内部清洗后的粉尘直接进入终端处理装置13中进行水溶性处理，由于粉尘在水中的溶解度有一定的限制，这将导致终端处理装置13内部粉尘堆积，从而增大了终端处理装置13的运行压力，进一步降低了CVD制作工艺的效率。

实用新型内容

本实用新型提供一种反应腔体清洁装置和化学气相沉积设备，其可以降低装置的运行压力，提高化学气相沉积制作工艺的效率。

为实现上述目的，本实用新型提供一种反应腔体清洁装置，该反应腔体清洁装置包括：第一管道、收集粉尘的收集装置、处理气体的气体处理装置，所述反应腔体清洁装置还包括第二管道和收集气体的抽气装置，其中，

所述收集装置连接于所述第一管道的末端，所述抽气装置连接于所述第二管道的末端，所述抽气装置与所述气体处理装置连接。

可选地，还包括过滤粉尘的过滤装置，所述过滤装置设置于所述第二管道内靠近所述第二管道的入口处。

可选地，所述过滤装置为可拆卸式过滤装置。

可选地，还包括对所述第一管道的部分区域进行加热的加热装置，所述加热装置设置于所述第一管道的外部靠近上方区域。

可选地，还包括第一控制开关，所述第一控制开关设置于所述第一管道上。

可选地，还包括第二控制开关，所述第二控制开关设置于所述第二管道上。

可选地，所述第一控制开关位于所述第一管道和所述第二管道连接处的下方；所述第二控制开关位于靠近所述过滤装置处。

可选地，所述第二控制开关位于所述过滤装置与所述抽气装置之间且靠近所述过滤装置处。

为实现上述目的，本实用新型提供一种化学气相沉积设备，包括反应腔体清洁装置，所述反应腔体清洁装置采用上述的反应腔体清洁装置。

本实用新型提供的反应腔体清洁装置及化学气相沉积设备，该反应腔体清洁装置包括：第一管道、收集粉尘的收集装置、处理气体的气体处理装置，反应腔体清洁装置还包括第二管道和收集气体的抽气装置，其中，收集装置连接于第一管道的末端，抽气装置连接于第二管道的末端，抽气装置与所述气体处理装置连接，通过设置第一管道和第二管道，实现对粉尘和气体进行相互独立处理，其可以降低装置的运行压力，提高化学气相沉积制作工艺的效率。

附图说明

图1为现有技术中的CVD反应腔体清洁装置的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一提供的一种反应腔体清洁装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的一种反应腔体装置和化学气相沉积设备作进一步详细描述。

图2为本实用新型实施例一提供的一种反应腔体清洁装置的结构示意图，如图2所示，该反应腔体清洁装置包括：第一管道1、收集粉尘的收集装置5、处理气体的气体处理装置7，反应腔体清洁装置还包括第二管道2和收集气体的抽气装置6，其中，收集装置5连接于第一管道1的末端，抽气装置6连接于第二管道2的末端，抽气装置6与气体处理装置7连接。