[实用新型]一种反应腔体清洁装置及化学气相沉积设备有效
| 申请号: | 201320433959.5 | 申请日: | 2013-07-19 |
| 公开(公告)号: | CN203419981U | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
| 发明(设计)人: | 李利芳;黄忠;黄斗冬;吕祖彬;王丹名 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 反应 清洁 装置 化学 沉积 设备 | ||
1.一种反应腔体清洁装置,包括:第一管道、收集粉尘的收集装置、处理气体的气体处理装置,其特征在于,所述反应腔体清洁装置还包括第二管道和收集气体的抽气装置,其中,
所述收集装置连接于所述第一管道的末端,所述抽气装置连接于所述第二管道的末端,所述抽气装置与所述气体处理装置连接。
2.根据权利要求1所述的反应腔体清洁装置,其特征在于,还包括过滤粉尘的过滤装置,所述过滤装置设置于所述第二管道内靠近所述第二管道的入口处。
3.根据权利要求2所述的反应腔体清洁装置,其特征在于,所述过滤装置为可拆卸式过滤装置。
4.根据权利要求3所述的反应腔体清洁装置,其特征在于,还包括对所述第一管道的部分区域进行加热的加热装置,所述加热装置设置于所述第一管道的外部靠近上方区域。
5.根据权利要求4所述的反应腔体清洁装置,其特征在于,还包括第一控制开关,所述第一控制开关设置于所述第一管道上。
6.根据权利要求5所述的反应腔体清洁装置,其特征在于,还包括第二控制开关,所述第二控制开关设置于所述第二管道上。
7.根据权利要求6所述的反应腔体清洁装置,其特征在于,所述第一控制开关位于所述第一管道和所述第二管道连接处的下方;所述第二控制开关位于靠近所述过滤装置处。
8.根据权利要求7所述的反应腔体清洁装置,其特征在于,所述第二控制开关位于所述过滤装置与所述抽气装置之间且靠近所述过滤装置处。
9.一种化学气相沉积设备,包括反应腔体清洁装置,其特征在于,所述反应腔体清洁装置采用权利要求1-8任一所述的反应腔体清洁装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320433959.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种盘毂精切模
- 下一篇:一种间歇自动切废料结构
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





