[实用新型]一种阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，具体地，涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

液晶显示装置（LCD：Liquid Crystal Display）因其体积小、功耗低、无辐射等特点已成为目前平板显示装置中的主流产品。

目前，较常见的液晶显示装置是扭曲向列型显示方式（即TN显示方式）的液晶显示装置。随着显示技术的发展，还出现了高级超维场转换显示方式（即ADS显示方式）的液晶显示装置。目前，在技术上比较成熟的是薄膜晶体管液晶显示装置（TFT-LCD），液晶显示装置包括阵列基板和彩膜基板，其中，薄膜晶体管形成在阵列基板上，薄膜晶体管包括栅电极、源电极与漏电极，薄膜晶体管通常采用非晶硅（a-Si）材料形成。

随着显示技术的发展，出现了采用多晶硅（p-Si）材料形成薄膜晶体管的方式。具体的，先采用多晶硅（p-Si）材料形成有源区，然后对有源区进行晶化以及离子注入，从而形成薄膜晶体管的源电极与漏电极。研究显示，采用多晶硅（p-Si）材料形成的薄膜晶体管的性能比采用非晶硅材料形成的薄膜晶体管的性能高100多倍。多晶硅包括高温多晶硅(HTPS)和低温多晶硅(LTPS)，其中，采用低温多晶硅形成的薄膜晶体管具有较高的电子迁移率，还能缩小薄膜晶体管的尺寸，因此广泛应用于阵列基板中，既实现了高开口率，又使得相应的显示装置具有高亮度、低耗电的优点。

与采用非晶硅材料形成的薄膜晶体管相比，采用低温多晶硅材料形成的薄膜晶体管工作时漏电流比较大，因此，为了降低漏电流，如图1中阵列基板的一种结构示意图所示，在阵列基板对应着薄膜晶体管的有源区4的下方设置了遮光金属层3，遮光金属层3将照射到漏电极7和源电极6之间的区域的一部分光线遮住，从而使漏电流降低；或者，在形成漏电极7和源电极6的过程中采用离子注入法（也称离子掺杂法）在有源区4中设置轻掺杂漏极8；或者，将薄膜晶体管设置为双栅极结构（如图1中具有两个栅电极5）等，都能从一定程度上降低漏电流。

与采用包括有非晶硅材料形成的薄膜晶体管的阵列基板相比，采用包括有多晶硅材料形成的薄膜晶体管的阵列基板制备时需要更多次数的构图工艺，如图2中阵列基板的制备步骤图（如步骤P1-P10）所示，为了形成用于降低薄膜晶体管漏电流的遮光金属层3，在阵列基板制备时需增加遮光金属层3包括曝光工艺（如步骤P1）的构图工艺，加上阵列基板制备过程中其它膜层原有的构图工艺，例如数据线2（如步骤P6）、公共电极12（如步骤P8）、像素电极14（如步骤P10）以及用于形成数据线2和源电极6之间的电连接的第一过孔15（如步骤P5）、像素电极14与漏电极7之间的电连接的第三过孔17、第四过孔18以及第五过孔19（如步骤P5、P7和P9，其中，由于数据线2与公共电极12之间必须互相绝缘，而二者在正投影方向上有重叠或说交叉，因此在二者之间起绝缘作用的平坦层20不可少，相应的，在平坦层20中形成像素电极14与漏电极7之间的电连接的第五过孔19构图工艺也是必不可少的），导致采用多晶硅材料制备阵列基板的制备方法构图工艺数量增多，使得相应的阵列基板的制备工序繁多，制备效率低。

发明内容

本实用新型针对现有技术中存在的上述技术问题，提供了一种阵列基板和显示装置。所述阵列基板通过将遮光金属层和数据线在同一步骤中同层形成在所述基板上，从而减少了阵列基板的构图工艺次数，提高了阵列基板的制备效率。

所述阵列基板包括基板以及设置在基板上的数据线和扫描线，数据线和扫描线围成多个像素区域，像素区域内设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和有源区，栅电极设置在有源区的上方，源电极和漏电极分设在有源区的相对两侧，像素区域内还设置有遮光金属层，遮光金属层和数据线同层设置在基板上，遮光金属层设置在有源区下方且在正投影方向上与有源区至少部分重叠，数据线靠近源电极且在正投影方向上与有源区至少部分不重叠。

优选的，遮光金属层和数据线采用相同的导电材料。

优选的，有源区采用低温多晶硅材料，源电极和漏电极采用离子注入的方式形成在有源区的相对两侧。

优选的，遮光金属层设置在源电极和漏电极对应的区域之间，且在正投影方向上与栅电极至少部分重叠。

优选的，有源区中还设置有轻掺杂漏极，轻掺杂漏极设置在源电极和漏电极之间，且分居在栅电极对应的区域的两侧。

优选的，阵列基板还包括缓冲层，缓冲层设置在有源区的下方以及基板的上方，遮光金属层和数据线被缓冲层覆盖。

优选的，栅电极为至少一个，遮光金属层为至少一片，遮光金属层与栅电极位置对应设置。