[实用新型]一种阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括基板以及设置在所述基板上的数据线和扫描线，所述数据线和所述扫描线围成多个像素区域，所述像素区域内设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和有源区，所述栅电极设置在所述有源区的上方，所述源电极和所述漏电极分设在所述有源区的相对两侧，所述像素区域内还设置有遮光金属层，其特征在于，所述遮光金属层和所述数据线同层设置在所述基板上，所述遮光金属层设置在所述有源区下方，且在正投影方向上与所述有源区至少部分重叠，所述数据线靠近所述源电极且在正投影方向上与所述有源区至少部分不重叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光金属层和所述数据线采用相同的导电材料。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源区采用低温多晶硅材料，所述源电极和所述漏电极采用离子注入的方式形成在所述有源区的相对两侧。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光金属层设置在所述源电极和所述漏电极对应的区域之间，且在正投影方向上与所述栅电极至少部分重叠。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述有源区中还设置有轻掺杂漏极，所述轻掺杂漏极设置在所述源电极和所述漏电极之间，且分居在所述栅电极对应的区域的两侧。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述有源区的下方以及所述基板的上方，所述遮光金属层和所述数据线被所述缓冲层覆盖。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述栅电极为至少一个，所述遮光金属层为至少一片，所述遮光金属层与所述栅电极位置对应设置。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述有源区的上方以及所述栅电极的下方，所述有源区以及所述缓冲层被所述栅绝缘层覆盖。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次设置在所述栅电极上方的中间介电层、第一电极、钝化层以及第二电极，所述第二电极与所述第一电极在正投影方向上至少部分重叠，所述第一电极为板状或狭缝状，所述第二电极为狭缝状；

所述缓冲层、所述栅绝缘层和所述中间介电层在对应着所述数据线的位置开设有第一过孔，所述栅绝缘层和所述中间介电层在对应着所述源电极的位置开设有第二过孔，所述数据线和所述源电极通过所述第一过孔以及所述第二过孔电连接。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极，所述栅绝缘层、所述中间介电层在对应着所述漏电极的位置开设有第三过孔，所述像素电极和所述漏电极通过所述第三过孔电连接；

或者，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极，所述栅绝缘层、所述中间介电层在对应着所述漏电极的位置开设有第三过孔，所述钝化层在对应着所述漏电极的位置开设有第四过孔，所述像素电极和所述漏电极通过所述第三过孔以及所述第四过孔电连接。

11.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极设置在所述栅绝缘层的上方，所述栅绝缘层在对应着所述漏电极的位置开设有第三过孔，所述像素电极与所述漏电极通过所述第三过孔电连接；

所述栅绝缘层和所述缓冲层在对应所述数据线的位置开设有第一过孔，所述栅绝缘层在对应着所述源电极的位置开设有第二过孔，所述数据线和所述源电极通过所述第一过孔和所述第二过孔电连接。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-11任意一项所述的阵列基板。