[实用新型]一种阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及平板显示器制造领域，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

平板显示器已取代笨重的CRT显示器日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示器包括液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器。上述平板显示器具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

阵列基板是显示器的重要组成部分，其中薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor，TFT）阵列基板是目前广泛应用的一种类型的阵列基板。对于TFT阵列基板而言，TFT开关通常由栅电极、源漏电极以及与源漏电极电连接的有源层组成，有源层之上设置有阻挡层。在形成源漏电极时，阻挡层用于保护有源层不被破坏，从而提高TFT开关的性能。而数据线通常与源漏电极设置于同一金属层，栅线与栅电极设置于同一金属层，参考图1所示的数据线与栅线交叠处的剖面示意图，包括数据线1、栅线2、栅绝缘层3和阻挡层4。其中，栅极绝缘层3和阻挡层4通常采用SiOx或SiOx/SiNx，其致密性较差，因此，栅绝缘层3或阻挡层4与相邻的金属层之间的接触面会存在气泡状间隙（例如图1所示的数据线1与阻挡层4之间），在刻蚀数据线时，由于阻挡层与形成数据线的金属之间的接触面存在气泡状间隙，因此刻蚀液会沿着这些气泡状间隙渗入到阻挡层与数据线的接触面，使数据线被腐蚀，造成数据线断裂，该不良现象在爬坡处尤为严重，该爬坡处可以理解为栅绝缘层或阻挡层上高度变化的位置，通常与栅电极或栅线的位置对应（例如图1所示的数据线1与栅线2交叠处的爬坡处5，高度由低到高变化，形成爬坡）。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法，解决现有技术中阻挡层与形成数据线的金属之间的接触面存在气泡状间隙，进行数据线刻蚀时，容易出现数据线断裂的问题。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括一基板和形成在基板上的薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor，TFT）和数据线，所述薄膜场效应晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，所述栅电极和所述有源层之间形成有栅绝缘层，所述阵列基板包括：

保护层，形成于所述栅绝缘层与所述数据线之间，且与所述数据线直接接触；所述保护层与所述有源层同层设置且材料相同。

优选的，所述保护层为ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO或ZrInZnO。

优选的，所述保护层的厚度为

优选的，所述薄膜场效应晶体管为底栅型薄膜场效应晶体管。

优选的，包括阻挡层，形成于所述有源层之上以及所述保护层之外的栅绝缘层之上。

优选的，包括像素电极、公共电极和形成于所述像素电极和所述公共电极之间的钝化层，所述像素电极形成于所述阻挡层之上，且所述像素电极与所述漏电极电连接。

优选的，包括阻挡层，所述阻挡层仅形成于所述有源层之上。

优选的，包括像素电极、公共电极和形成于所述像素电极和所述公共电极之间的钝化层，所述像素电极形成于所述栅绝缘层之上。

优选的，包括与所述栅电极同层设置且同步形成的栅线，所述栅线的位置与所述保护层的位置对应。

本实用新型实施例提供一种显示装置，包括如上述的阵列基板。

本实施例有益效果如下：数据线与栅绝缘层之间设置有保护层，保护层直接与数据线接触，由于保护层采用与有源层相同的半导体材料制作，因此其致密度高于栅绝缘层，保护层与数据线之间不存在间隙气泡且具有较强的抗腐蚀能力，当进行数据线刻蚀时，对数据线进行保护，避免数据线被腐蚀而出现断裂；同时金属保护层的材料为ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO或ZrInZnO，其柔软性优于金属材料，在爬坡处不宜断裂，也有助于减少数据线出现断裂。

附图说明

图1为现有技术的阵列基板中数据线与栅线交叠处的剖面示意图；

图2为本实用新型实施例所述阵列基板的结构示意图；

图3为本实用新型实施例所述另一阵列基板的结构示意图；

图4为本实用新型实施例所述阵列基板的制作方法的流程图。

附图标记：