[实用新型]一种阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201320400476.5 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN203365871U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 徐向阳;杜雷;王盛 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，包括一基板和形成在基板上的薄膜场效应晶体管和数据线，所述薄膜场效应晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，所述栅电极和所述有源层之间形成有栅绝缘层，其特征在于，所述阵列基板包括：
保护层，形成于所述栅绝缘层与所述数据线之间，且与所述数据线直接接触；所述保护层与所述有源层同层设置且材料相同。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层为ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO或ZrInZnO。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层的厚度为
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管为底栅型薄膜场效应晶体管。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括阻挡层，形成于所述有源层之上以及所述保护层之外的栅绝缘层之上。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括像素电极、公共电极和形成于所述像素电极和所述公共电极之间的钝化层，所述像素电极形成于所述阻挡层之上，且所述像素电极与所述漏电极电连接。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括阻挡层，所述阻挡层仅形成于所述有源层上。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括像素电极、公共电极和形成于所述像素电极和所述公共电极之间的钝化层，所述像素电极形成于所述栅绝缘层之上。
9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括与所述栅电极同层设置且同步形成的栅线，所述栅线的位置与所述保护层的位置对应。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
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