[实用新型]一种集电极开路输出类电路的版图结构

说明书

技术领域

本实用新型属于集成电路版图结构技术领域，具体涉及一种集电极开路输出类电路的版图结构。 

背景技术

国内仅《电子与封装》2009年01月中《一种Bipolar结构中的闩锁效应》一文对Bipolar电路的闩锁现象进行了一定的介绍和理论分析，没有对应到具体工程中可能发生闩锁的电路以及给出相应的预防措施。 

现有技术中，在双极型集成电路版图中，根据隔离岛中所加工器件的类型，将其分为集电极开路器件所在隔离岛和非集电极开路器件所在隔离岛两大类。为叙述方便分别将其简称为集电极开路岛和非集电极开路岛。本实用新型所针对的集电极开路岛是指集电极输出器件所在的隔离岛，如图1中的A岛；所针对非集电极开路岛是指与集电极输出器件的集电极引出端相邻的隔离岛，非集电极开路岛内除外延外，最外圈具有为P型掺杂，如图1中的B岛。 

由于符合这种结构的器件能够形成PNPN四层结构，如图2所示从右向左，该PNPN结构中，P为非集电极开路岛中的最外圈P型掺杂(如基区电阻)，N为非集电极开路岛中的外延，P为两种岛之间的隔离墙，N为集电极开路岛中的外延（开路集电极N+为其欧姆接触）。因此当触发条件满足时，即可触发这种PNPN结构，即发生类似闩锁的现象。如集电极开路岛上的集电极开路输出级遭受负向脉冲干扰，该PNPN四层结构被触发，闩锁条件满足正反馈形成，将对非集电极开路岛中的器件(电阻或晶体管)进行注入，从而破坏整个电路的正常功能，使出现电路功能锁定或烧毁。 

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题在于提供一种集电极开路输出类电路的版图 结构，提高集成电路中集电极开路输出类电路抗负脉冲干扰能力，避免类闩锁现象的发生。 

本实用新型是通过以下技术方案来实现： 

一种集电极开路输出类电路的版图结构，其特征在于，包括集电极开路岛和非集电极开路岛；所述的集电极开路岛是集电极输出器件所在的隔离岛；所述的非集电极开路岛是与集电极输出器件的集电极引出端相邻的隔离岛，非集电极开路岛的最外圈设置有P型掺杂；所述集电极开路岛和非集电极开路岛间设有宽度为16μm～24μm的隔离墙，隔离墙连通设置有接地孔。 

优选的，所述的隔离墙的宽度为20μm。 

优选的，所述的接地孔设置在集电极开路岛和非集电极开路岛连接边缘的外侧。 

优选的，所述的集电极开路输出类电路运作时，在集电极开路岛和非集电极开路岛之间产生寄生结构电路；寄生结构电路包括PNP三极管，NPN三极管和等效电阻；接高电位，基极为非集电极开路岛中的N型外延，集电极为隔离墙；所述的NPN三极管的发射极为集电极开路岛中的N型外延，基极为隔离墙，集电极为非集电极开路岛中的N型外延；所述的等效电阻包括非集电极开路岛偏置N+与非集电极开路岛外延岛之间的第一等效串联电阻，以及隔离墙到接地孔之间的第二等效串联电阻。 

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益的技术效果： 

通过接地孔的设置保证了在受到负向脉冲干扰时，能够及时的将其引入到大地，消除其对电路产生的不良影响，同时通过隔离墙宽度的限制，保证了其对负向脉冲干扰的抵抗能力，两方面同时配合，从而破坏了发生闩锁现象需满足的条件，提高了电路的抗负向脉冲干扰的能力；经试验测得，采用本实用新型所述结构的集电极开路输出电路，经流片、封装测试后，输出级负脉冲干扰能力由原来的不足30mA提高到200mA以上。 

附图说明

图1为本实用新型中所述的集电极开路岛和非集电极开路岛。 

图2为本实用新型中PNPN四层结构的形成示意图。 

图3为本实用新型中PNPN四层结构的纵向剖面示意图及寄生结构电路图。 

图4为采取本实用新型所述结构前后的版图结构对比；其中图4a为原版图结构，图4b为采取本实用新型所述结构后的版图结构。 

图中：1为接地孔。 

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步详细描述： 

本实用新型一种集电极开路输出类电路的版图结构，其包括集电极开路岛和非集电极开路岛；所述的集电极开路岛是集电极输出器件所在的隔离岛，如图1和图2中的A岛；所述的非集电极开路岛是与集电极输出器件的集电极引出端相邻的隔离岛，如图1和图2中的B岛，非集电极开路岛的最外圈设置有P型掺杂；所述集电极开路岛和非集电极开路岛间设有宽度为16μm～24μm的隔离墙，隔离墙连通设置有接地孔1，如图4b所示。