[实用新型]一种集电极开路输出类电路的版图结构有效

专利信息
申请号: 201320397976.8 申请日: 2013-07-05
公开(公告)号: CN203445113U 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 王雷;王勇;邓些鹏;刘冠春 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710005*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 集电极 开路 输出 电路 版图 结构
【权利要求书】:

1.一种集电极开路输出类电路的版图结构,其特征在于,包括集电极开路岛和非集电极开路岛;所述的集电极开路岛是集电极输出器件所在的隔离岛;所述的非集电极开路岛是与集电极输出器件的集电极引出端相邻的隔离岛,非集电极开路岛的最外圈设置有P型掺杂;所述集电极开路岛和非集电极开路岛间设有宽度为16μm~24μm的隔离墙,隔离墙连通设置有接地孔(1)。

2.根据权利要求1所述的集电极开路输出类电路的版图结构,其特征在于,所述的隔离墙的宽度为20μm。

3.根据权利要求1所述的集电极开路输出类电路的版图结构,其特征在于,所述的接地孔(1)设置在集电极开路岛和非集电极开路岛连接边缘的外侧。

4.根据权利要求1或2或3所述的集电极开路输出类电路的版图结构,其特征在于,所述的集电极开路输出类电路运作时,在集电极开路岛和非集电极开路岛之间产生寄生结构电路;寄生结构电路包括PNP三极管(P1),NPN三极管(P2)和等效电阻;

所述的PNP三极管(P1)的发射极为非集电极开路岛中的最外圈P型掺杂,接高电位(Vcc),基极为非集电极开路岛中的N型外延,集电极为隔离墙;

所述的NPN三极管(P2)的发射极为集电极开路岛中的N型外延,基极为隔离墙,集电极为非集电极开路岛中的N型外延;

所述的等效电阻包括非集电极开路岛偏置N+与非集电极开路岛外延岛之间的第一等效串联电阻(Rp1),以及隔离墙到接地孔(1)之间的第二等效串联电阻(Rp2)。

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