[实用新型]一种FPGA片上低功耗系统有效

专利信息
申请号: 201320372093.1 申请日: 2013-06-26
公开(公告)号: CN203406851U 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 何弢 申请(专利权)人: 成都鸿芯纪元科技有限公司
主分类号: H03K19/177 分类号: H03K19/177
代理公司: 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 代理人: 李高峡
地址: 610041 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 fpga 片上低 功耗 系统
【权利要求书】:

1.一种FPGA片上低功耗系统,其特征在于:包括参考电压电路、上电复位模块、DLL电源模块、SRAM电源模块;所述参考电压电路提供1.2V和1.8V的双电压基准,所述上电复位模块包括一个在芯片电源上升到1.6V时发出上电复位的POR脉冲信号的上电复位电路,所述DLL电源模块包括一个为DLL延迟链提供2V电压的稳压器,所述SRAM电源模块从芯片电源VDD通过电压变换得到另一电压SRAMVDD,所述SRAMVDD电压高于电压VDD,电压SRAMVDD和电压VDD分别加在不同的SRAM单元上,SRAMVDD电压同时加在SRAM单元的PMOS晶体管的源端和PMOS晶体管的衬底上。 

2.根据权利要求1所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述上电复位模块还包括用于确保POR信号的复位有效性的复位信号检测电路,所述复位信号检测电路连接上电复位电路和SRAM单元。 

3.根据权利要求1所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述DLL电源模块包括依次连接的单位增益缓冲器、低通滤波器和稳压器;所述单位增益缓冲器还连接参考电压电路,所述稳压器为DLL延迟链的缓冲器独立供电。 

4.根据权利要求1所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述SRAM电源模块包括第一电压比较器、第二电压比较器、环形振荡器、电荷泵;所述第一电压比较器连接参考电压电路,还连接环形振荡器,所述第二电压比较器连接上电复位模块,还连接电荷泵,所述环形振荡器还连接电荷泵,所述电荷泵为SRAM单元提供能量。 

5.根据权利要求3所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述参考电压电路以带隙基准源为核心组成,利用芯片的全局电源中输入的2.5V 电压和PNP晶体管的带隙特性产生稳定的1.2V基准电压。 

6.根据权利要求3所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述稳压器为带有反馈和补偿功能的直流电源。 

7.根据权利要求2所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述复位信号检测电路为SRAM构成的POR信号复位验证电路,将上电复位电路的信号送到不同电源供电的SRAM构成的POR复位验证电路,并将SRAM的储存值作为输出。 

8.根据权利要求1所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述FPGA芯片的电源包括芯片的内部电压VDD(1)、I/O电路输出缓冲器电压VCCO(2)、SRAM的电源电压SRAMVDD(3)、DLL电路延迟链的电源电压DLLVDD(4)、I/O输入传输管电压IOPUMP(5);所述VDD(1)分布于整个FPGA芯片,所述VCCO(2)、IOPUMP(5)分布在FPGA芯片的四边,所述SRAMVDD(3)分布在FPGA芯片的中央区域,所述DLLVDD(4)分布在FPGA芯片的四个角上。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都鸿芯纪元科技有限公司,未经成都鸿芯纪元科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320372093.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top