[实用新型]一种FPGA片上低功耗系统有效
申请号: | 201320372093.1 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN203406851U | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 何弢 | 申请(专利权)人: | 成都鸿芯纪元科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/177 | 分类号: | H03K19/177 |
代理公司: | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人: | 李高峡 |
地址: | 610041 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 fpga 片上低 功耗 系统 | ||
1.一种FPGA片上低功耗系统,其特征在于:包括参考电压电路、上电复位模块、DLL电源模块、SRAM电源模块;所述参考电压电路提供1.2V和1.8V的双电压基准,所述上电复位模块包括一个在芯片电源上升到1.6V时发出上电复位的POR脉冲信号的上电复位电路,所述DLL电源模块包括一个为DLL延迟链提供2V电压的稳压器,所述SRAM电源模块从芯片电源VDD通过电压变换得到另一电压SRAMVDD,所述SRAMVDD电压高于电压VDD,电压SRAMVDD和电压VDD分别加在不同的SRAM单元上,SRAMVDD电压同时加在SRAM单元的PMOS晶体管的源端和PMOS晶体管的衬底上。
2.根据权利要求1所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述上电复位模块还包括用于确保POR信号的复位有效性的复位信号检测电路,所述复位信号检测电路连接上电复位电路和SRAM单元。
3.根据权利要求1所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述DLL电源模块包括依次连接的单位增益缓冲器、低通滤波器和稳压器;所述单位增益缓冲器还连接参考电压电路,所述稳压器为DLL延迟链的缓冲器独立供电。
4.根据权利要求1所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述SRAM电源模块包括第一电压比较器、第二电压比较器、环形振荡器、电荷泵;所述第一电压比较器连接参考电压电路,还连接环形振荡器,所述第二电压比较器连接上电复位模块,还连接电荷泵,所述环形振荡器还连接电荷泵,所述电荷泵为SRAM单元提供能量。
5.根据权利要求3所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述参考电压电路以带隙基准源为核心组成,利用芯片的全局电源中输入的2.5V 电压和PNP晶体管的带隙特性产生稳定的1.2V基准电压。
6.根据权利要求3所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述稳压器为带有反馈和补偿功能的直流电源。
7.根据权利要求2所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述复位信号检测电路为SRAM构成的POR信号复位验证电路,将上电复位电路的信号送到不同电源供电的SRAM构成的POR复位验证电路,并将SRAM的储存值作为输出。
8.根据权利要求1所述的FPGA片上低功耗系统,其特征在于:所述FPGA芯片的电源包括芯片的内部电压VDD(1)、I/O电路输出缓冲器电压VCCO(2)、SRAM的电源电压SRAMVDD(3)、DLL电路延迟链的电源电压DLLVDD(4)、I/O输入传输管电压IOPUMP(5);所述VDD(1)分布于整个FPGA芯片,所述VCCO(2)、IOPUMP(5)分布在FPGA芯片的四边,所述SRAMVDD(3)分布在FPGA芯片的中央区域,所述DLLVDD(4)分布在FPGA芯片的四个角上。
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