[实用新型]一种提高了BVcbo的双极型晶体管

说明书

技术领域

本实用新型涉及了一种晶体管，尤其是涉及了一种提高了BVcbo的双极型晶体管，属于电子技术领域。 

背景技术

高频功率晶体管器件广泛地用于通信系统和雷达系统中，微波功率晶体管器件的应用设计要求能够提供高的输出功率和高的增益，工作频率范围从几百MHz到几个GHz。为达到这样的高输出功率、高增益和高频要求，除对芯片器件的布局、工艺参数的选择以及封装进行优化外，对晶体管芯片制造工艺的改进有时更为重要。原因如下： 

1、为了获得高的输出功率，应当选择尽可能高的集电区掺杂浓度，以便抑制集电区输出电流的饱和现象，同时较浓的集电区掺杂可以选择较薄的外延层厚度，这样集电区的寄生电阻较小，因而可以得到较好的晶体管高频性能。但较浓的集电区掺杂所带来的问题是较低的BVcbo。

2、为了得到高频性能，通常平面晶体管的基区结深较浅（0.2到0.5微米），较浅的基区结深使得集电区-基区的冶金结曲率半径较小，以至在集电区-基区加上反向偏置电压时，由于电场倾向于集中在较小的曲率半径处，导致较小的BVcbo。为了克服浅结BVcbo较小的缺点，一种叫做结终端的工艺技术被采用，即在浅结基区边缘加一步深度较深的与基区同极性的杂质扩散，得到较大的集电区-基区的冶金结曲率半径以提高BVcbo。但结终端技术所带来的问题是由于杂质的横向扩散，使得晶体管的面积增大，导致集电区-基区的寄生电容增大，降低了晶体管的频率性能。 

3、沟槽场氧化隔离工艺技术因其晶体管面积小、大大减小了集电结寄生电容、提高了晶体管的高频性能，被广泛地应用于双极型高频小功率晶体管。对于微波功率晶体管器件，由于其要求较高的输出功率，单独利用沟槽场氧化隔离工艺技术并不适合，这是因为：晶体管基区的掺杂元素硼离子在热过程中倾向于被吸收（分凝）到场氧化层中，使得在硅-氧化硅界面处的硼浓度降低，受硅-氧化硅界面电荷的影响，BVcbo也会降低。 

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种提高了BVcbo的双极型晶体管，不但提高了击穿电压，能够提供高的输出功率，而且减小了集电结寄生电容，保证了器件的高频性能。 

为了解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是： 

一种提高了BVcbo的双极型晶体管，包括高浓度掺杂的N-型硅衬底，所述N-型硅衬底的顶部设置有N-型外延硅，所述N-型外延硅的两侧通过沟槽、氧化和平坦化工艺技术形成有平坦氧化层，所述两个平坦氧化层之间的N-型外延硅的上表面设有本征基区，所述本征基区的两侧设有非本征基区，所述两个非本征基区之间还设置有发射区；所述两个平坦氧化层之间通过热过程杂质激活形成第二冶金结。

前述的一种提高了BVcbo的双极型晶体管，其特征在于：所述N-型外延硅的上面还淀积有介质材料，所述非本征基区和发射区处的介质材料上通过光刻和刻蚀形成基极和发射极的接触孔，所述接触孔中设置有金属连接线条。 

本实用新型的有益效果是：通过将沟槽场氧化隔离工艺技术与结终端工艺技术结合起来，并且将沟槽的场氧化过程分成两步，结终端硼离子注入安排在两步场氧化之间进行，不但可以得到合理的结终端硼的结深，而且简化了工艺流程，并且由于结终端离子注入窗口与沟槽边缘无需对准，因此在结终端与沟槽的交界处可以得到较为固定的掺杂硼浓度，以致可以得到稳定的BVcbo，使NPN硅双极型微波功率晶体管器件不但提高了BVcbo 20伏以上，能够提供高的输出功率，而且减小了集电结寄生电容，保证了器件的高频性能。 

附图说明

图1是本实用新型一种提高了BVcbo的双极型晶体管的结构示意图。 

图2是本实用新型一种提高了BVcbo的双极型晶体管的制造方法中与步骤（1）对应的晶体管结构示意图； 

图3是本实用新型一种提高了BVcbo的双极型晶体管的制造方法中与步骤（2）对应的晶体管结构示意图；

图4是本实用新型一种提高了BVcbo的双极型晶体管的制造方法中与步骤（3）对应的晶体管结构示意图；

图5是本实用新型一种提高了BVcbo的双极型晶体管的制造方法中与步骤（4）对应的晶体管结构示意图；

图6是本实用新型一种提高了BVcbo的双极型晶体管的制造方法中与步骤（5）对应的晶体管结构示意图；