[实用新型]一种垂直型石墨烯LED芯片

权利要求书

1.一种垂直型石墨烯LED芯片，自下而上依次有背面金属层（1）、衬底（2）、第一键合金属层（3）、第二键合金属层（4）、p型电极（5）、p型氮化镓层（6）、多量子阱层（7）、n型氮化镓层（8）、n型电极（9），其特征是在衬底（2）与背面金属层（1）的界面有石墨烯层（10），或在衬底（2）与第一键合金属层（3）的界面有石墨烯层（10），或者在衬底（2）与背面金属层（1）的界面以及衬底（2）与第一键合金属层（3）的界面均有石墨烯层（10）。

2.根据权利要求1所述的垂直型石墨烯LED芯片，其特征在于所述的衬底（2）是硅或锗。

3.根据权利要求1所述的垂直型石墨烯LED芯片，其特征在于所述的第一键合金属层（3）和第二键合金属层（4）均是金、银、铜、铝、钛和镍中的一种或几种的复合金属。

4.根据权利要求1所述的垂直型石墨烯LED芯片，其特征在于所述的p型电极（4）是铂、镍、钯、镁、金和银中的一种或几种的复合金属。

5.根据权利要求1所述的垂直型石墨烯LED芯片，其特征在于所述的n型电极（8）是钛、铝和金中的一种或几种的复合金属。

6.根据权利要求1所述的垂直型石墨烯LED芯片，其特征在于所述的石墨烯层（10）为单层石墨烯、双层石墨烯或多层石墨烯。