[实用新型]一种IGBT驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种驱动电路，特别涉及一种IGBT驱动电路。

背景技术

随着电动汽车，太阳能发电，风力发电等新能源产业的快速发展，绝缘栅双极型晶体管IGBT作为其变换的核心元件扮演着重要的角色，而大功率IGBT可靠工作的前提必须具备高性能的IGBT驱动电路，满足IGBT的开通瞬间充放电的电流大，开通速度快，IGBT的损耗小的特点。

IGBT驱动电路有变压器隔离和光耦隔离两种隔离形式，目前的IGBT驱动电路存在驱动能力低，不能驱动容量更大的IGBT，不利于开发更大功率的工业变频器。

实用新型内容

本实用新型主要目的在于解决上述问题和不足，提供能够增大驱动能力，可驱动更大容量IGBT的一种IGBT驱动电路。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案是：

一种IGBT驱动电路，包括光电耦合器和IGBT模块，还包括正负电极和推挽电路，所述推挽电路包括并联的一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管，所述N沟道MOS管的集电极与所述正负电极的正电极连接，所述P沟道MOS管的集电极与所述正负电极的负电极连接，所述N沟道MOS管和P沟道MOS管的栅极通过第一电阻与所述光电耦合器的输出端V_OUT连接，所述N沟道MOS管通过第二电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接，所述P沟道MOS管的发射极通过第三电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接，所述IGBT模块的发射极接地。

进一步，IGBT模块的发射极与所述正负电源中点连接，所述正负电源中点接地。

进一步，还包括饱和压降保护电路，所述光电耦合器的DESAT接口与所述饱和压降保护电路连接，所述饱和压降保护电路与IGBT模块的集电极连接。

进一步，饱和压降保护电路包括稳压管、二极管、第四电阻，所述IGBT模块的集电极依次经过稳压管、二极管的阴极、二极管的阳极和第四电阻与所述光电耦合器的DESAT接口连接。

综上内容，本实用新型所述的一种IGBT驱动电路具有如下优点：

1、通过推挽电路使光电耦合器驱动能力增大，能够驱动容量更大的IGBT模块，便于开发更大功率的工业变频器。

2、通过负极电源，P沟道MOS管在接通时，IGBT模块U_GE为负值，使IGBT模块能够良好的实现负压快速关断。

3、通过饱和压降保护电路，保护了IGBT模块和驱动电路的安全。

附图说明

图1 是本实用新型IGBT驱动电路的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述：

如图1所示，一种IGBT驱动电路，包括产生脉冲信号的控制电路，用于隔离控制电路和驱动电路的光电耦合器，与驱动电路连接的IGBT模块，正负电源以及推挽电路。控制电路包括单片机，单片机产生的PWM信号通过光电耦合器实现信号隔离耦合至驱动电路，光电耦合器输出的PWM信号控制IGBT模块的通断。推挽电路设置在光电耦合器与IGBT模块之间，正负电源的正极为15V，负极为-9V。

推挽电路包括一个N沟道MOS管Q1和一个P沟道MOS管Q2，它们并联，光电耦合器的输出端V_OUT通过第一电阻R1与N沟道MOS管Q1和P沟道MOS管Q2的栅极G连接，正负电源的正电极与N沟道MOS管Q1的集电极C连接，正负电源的负电极与P沟道MOS管Q2的集电极C连接，N沟道MOS管Q1的发射极E通过第二电阻R2与IGBT模块的栅极G输入端连接，P沟道MOS管Q2的发射极E通过第三电阻R3与IGBT模块的栅极G输入端连接，IGBT模块的发射极E与正负电源的中点连接，正负电源中点接地，IGBT模块的栅极G和发射极E与第五电阻R5并联。

当光电耦合器输出端V_OUT输出一个高电平，N沟道MOS管Q1接通，正电极、N沟道MOS管Q1的集电极C和发射极E、第二电阻R2、IGBT模块的栅极G和发射极E、正负电源中点形成一个回路，此时IGBT模块的U_GE为15V，驱动IGBT模块的导通。驱动电流经过N沟道MOS管Q1的增大，使得驱动电流具有更大的驱动电流，便于开发更大功率的变频器。