[实用新型]一种IGBT驱动电路有效
| 申请号： | 201320354347.7 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN203377852U | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 崔增良;杜鹏 | 申请（专利权）人： | 山东朗进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567;H03K17/04 |
| 代理公司： | 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 | 代理人： | 曲艳 |
| 地址： | 271100 山东省莱*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 驱动 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种IGBT驱动电路，包括光电耦合器和IGBT模块，其特征在于：还包括正负电极和推挽电路，所述推挽电路包括并联的一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管，所述N沟道MOS管的集电极与所述正负电极的正电极连接，所述P沟道MOS管的集电极与所述正负电极的负电极连接，所述N沟道MOS管和P沟道MOS管的栅极通过第一电阻与所述光电耦合器的输出端VOUT连接，所述N沟道MOS管通过第二电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接，所述P沟道MOS管的发射极通过第三电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接，所述IGBT模块的发射极接地。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动电路，其特征在于：所述IGBT模块的发射极与所述正负电源中点连接，所述正负电源中点接地。
3.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动电路，其特征在于：还包括饱和压降保护电路，所述光电耦合器的DESAT接口与所述饱和压降保护电路连接，所述饱和压降保护电路与IGBT模块的集电极连接。
4.根据权利要求3所述的一种IGBT驱动电路，其特征在于：所述饱和压降保护电路包括稳压管、二极管、第四电阻，所述IGBT模块的集电极依次经过稳压管、二极管的阴极、二极管的阳极和第四电阻与所述光电耦合器的DESAT接口连接。
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