[实用新型]一种多晶硅炉底盘结构有效

专利信息
申请号: 201320348485.4 申请日: 2013-06-18
公开(公告)号: CN203319707U 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 李波;金越顺;陶崇花;朱烨俊 申请(专利权)人: 浙江精功新材料技术有限公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 310018 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 多晶 底盘 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产制造技术领域,尤其涉及一种多晶硅炉底盘结构。 

背景技术

随着光伏产业的不断发展,多晶硅的生产成为全球的热点问题,现在生产多晶硅的设备多种多样,最常见的是多晶硅炉,硅源性气体在多晶硅炉内发生还原反应,从而析出纯度高的多晶硅。现在常见的多晶硅炉的底盘都是双层的平面结构,内部流通冷却介质对多晶硅炉起到冷却作用,然而该种结构的底盘表面积较小,冷却效果不理想,当多晶硅炉内同时生产许多多晶硅硅棒时,硅源性气体从底盘中间经过时,进入每个硅棒生长腔内的气流量不均匀,从而导致每根多晶硅硅棒之间差异较大,产品质量很难控制。 

中国专利授权公告号:CN201834768U,授权公告日2011年5月18日,公开了一种多晶硅生产装置,包括:底盘,钟罩,设置在所述底盘之上,与底盘形成反应器;钟罩上设有尾气出口;钟罩外部设置夹套,夹套上设置夹套冷却油入口与夹套冷却油出口;反应器内部设置内件,内件包含中间接管和夹套管,夹套管内设置多晶硅棒;中间接管底部设置工艺气体入口、反应器冷却油入口与反应器冷却油出口。该种装置生产多晶硅,可以有效降低反应器内无定形硅的生长,减少装置的污染,提高多晶硅的转化率与纯度。其不足之处是该种结构中底盘为平面结构,冷却效果差,而且无法适用于多晶硅炉内多根硅棒同时生产的情况。 

实用新型内容

本实用新型为了克服现有技术中的多晶硅炉底盘冷却效果不理想的不足,提供了一种冷却效果好的多晶硅炉底盘结构。 

为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案: 

一种多晶硅炉底盘结构,包括底盘本体,所述的底盘本体呈碗状结构,底盘本体内设有沿底盘本体分布的冷却液腔,底盘本体的下端外侧面上设有与冷却液腔连通的冷却液进口,底盘本体的上端外侧面设有与冷却液腔连通的冷却液出口,碗状结构的底盘本体的开口处向外延伸形成法兰连接面,底盘本体的中心设有进气孔,所述的进气孔内连接有进气管。冷却液从冷却液进口处进入冷却腔内,然后从冷却液出口流出来形成循环,底盘本体碗状结构,表面积增大,冷却面积也增大,冷却效果更加好,同时当硅源性气体从进气口处进入底盘本体内后,沿着底盘呢门体内侧的圆弧面分散后分别进入每个独立的硅棒生长腔内,硅源性气体进入更加均匀、平稳,有利于还原反应的进行。

作为优选,所述的底盘本体的内侧中心设有两端开口的支撑罩,支撑罩与进气管同轴分布,支撑罩的侧面设有若干出气孔,支撑罩的上端延伸形成焊接连接面。支撑罩使得底盘本体的内侧面与多晶硅炉钟罩部分之间形成一个进气腔,硅源性气体进入底盘本体内后再从支撑罩的出气孔处向周围排出,从而使得硅源性气体在进气腔内混合更加均匀。 

作为优选,所述的底盘本体上的进气孔的正上方设有布气罩,所述的布气罩整体呈半球状结构,布气罩的开口端与进气孔连接,布气罩上还均匀设有若干贯通的布气孔。当硅源性气体进入后首先经过布气罩,在布气孔的作用下,硅源性气体被细分成若干个微小的气流柱,气流柱在支撑罩内又进一步相互混合后,然后从排气孔中分别排到不同的硅棒生长腔内发生反应,进一步使得硅源性气体混合均匀,反应更加充分、完全,从而提高多晶硅的生成率。 

作为优选,所述的冷却液进口和冷却液出口上都设有手动阀门。当出现故障或者紧急情况时,操作工可以强行手动关闭手动阀门。 

因此,本实用新型具有冷却效果好的有益效果。同时,本实用新型还具有使得硅源性气体混合均匀后分别进去硅棒生长腔内,从而保证不同硅棒之间一致性好,硅棒生长质量好控制的有益效果。 

附图说明

图1为本实用新型的一种结构示意图。 

图中:底盘本体1  冷却液腔2  冷却液进口3  冷却液出口4  法兰连接面5  进气孔6  进气管7  支撑罩8  出气孔9  焊接连接面10  布气罩11  布气孔12  手动阀门13。 

具体实施方式

    下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步描述: 

如图1所示的一种多晶硅炉底盘结构,包括底盘本体1,底盘本体1呈碗状结构,底盘本体1内设有沿底盘本体分布的冷却液腔2,底盘本体1的下端外侧面上设有与冷却液腔连通的冷却液进口3,底盘本体1的上端外侧面设有与冷却液腔连通的冷却液出口4,冷却液进口3和冷却液出口4上都设有手动阀门13,碗状结构的底盘本体1的开口处向外延伸形成法兰连接面5,法兰连接面便于与钟罩连接,底盘本体的中心设有进气孔6,进气孔6内连接有进气管7,底盘本体1的内侧中心设有两端开口的支撑罩8,支撑罩8与进气管7同轴分布,支撑罩8的侧面设有若干出气孔9,支撑罩8的上端延伸形成焊接连接面10,支撑罩8使得底盘本体内侧面与钟罩之间形成一个进气腔,便于硅源性气体在进气腔内混合均匀;底盘本体1上的进气孔6的正上方设有布气罩11,布气罩设在支撑罩的内部,布气罩11整体呈半球状结构,布气罩11的开口端罩住进气孔6,布气罩11上还均匀设有若干贯通的布气孔12,当硅源性气体进入后首先经过布气罩,在布气孔的作用下,硅源性气体被细分成若干个微小的气流柱,气流柱在支撑罩内又进一步相互混合后,然后从排气孔中分别排到不同的硅棒生长腔内发生反应,进一步使得硅源性气体混合均匀,反应更加充分、完全,从而提高多晶硅的生成率。因此,本实用新型具有冷却效果好的有益效果。同时,本实用新型还具有使得硅源性气体混合均匀后分别进去硅棒生长腔内,从而保证不同硅棒之间一致性好,硅棒生长质量好控制的有益效果。

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