[实用新型]用于太阳能电池板式PECVD钝化的基板有效
申请号: | 201320345073.5 | 申请日: | 2013-06-17 |
公开(公告)号: | CN203325873U | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 张辉;赵晨;孟津;张斌;邢国强 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 刘燕娇 |
地址: | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 板式 pecvd 钝化 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种镀膜支座,具体涉及一种用于太阳能电池板式PECVD钝化的基板。
背景技术
晶体硅太阳能电池又称光伏电池,可以在光照下产生电子空穴对,PN结使电子空穴对分开,电子向正面集中,正电荷向背面集中,并分别被正面和背面的金属栅线所收集并传输到外电路。大规模生产的晶体硅太阳能电池大多采用管式扩散法制作PN结,会在硅片表面形成大量的杂质原子和晶格缺陷,导致硅片中心的扩散方阻高于边缘,使得边缘处的效率低于中心。钝化是制备晶体硅太阳能电池的关键技术,良好的表面钝化和体钝化可以有效地弥补扩散造成的晶格缺陷,提高少子寿命,从而提升转换效率。
钝化多采用板式PECVD的工艺,由于钝化工艺没有针对硅片内扩散方阻的差异进行匹配和优化,只是统一镀膜钝化,导致硅片边缘的钝化效果往往不佳,整片硅片的少子寿命分布不均匀,影响电池片效率。现有的镀膜方式是硅片正面向上放置在镀膜基板上,在腔体内完成正面镀膜,基板上有部分镂空的区域与硅片不接触。硅片上接触基板区域的温度通常高于未接触基板区域的温度,镀膜后接触基板区域的钝化效果要好于未接触基板的区域。
可见,如果基于上述硅片与基板接触后钝化效果不同的规律重新设计基板,使硅片边缘比硅片中心的钝化效果更好,就可以有效抵消扩散工艺的不均匀问题,使整片电池片的少子寿命分布更加均匀,从而提升电池片的整体效率。
实用新型内容
发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本实用新型提供一种能使电池片的钝化与扩散相互匹配的用于太阳能电池板式PECVD钝化的基板。
技术方案:为解决上述技术问题,本实用新型提供的用于太阳能电池板式PECVD钝化的基板,包括用于承载电池片的水平板体,所述板体上具有环绕电池片四周的卡点,所述板体上对应电池片中心的位置镂空。
作为优选,所述镂空的形状为圆形。
作为优选,所述镂空的形状为椭圆形。
作为优选,所述镂空的形状为正方形。
作为优选,所述镂空的形状为菱形。
作为优选,所述镂空的形状为三角形。
有益效果:本实用新型在钝化的基板上通过采用对应电池片中心位置镂空的结构,与扩散形成的不均匀晶格缺陷形成互补,使硅片边缘比硅片中心的钝化效果更好,来达到更好的整体钝化效果,提升了电池片的效率。
附图说明
图1是现有的太阳能电池板式PECVD基板的结构示意图;
图2是本实用新型实施例的太阳能电池板式PECVD钝化的基板的结构示意图;
图中:1板体,2卡点,3镂空。
具体实施方式
实施例:现有的太阳能电池板式PECVD基板如图1所示,包括由间隔排列的平行铝条组成的板体1,铝条上具有环绕电池片四周的卡点2,卡点2用于卡接电池片。该基板在钝化时接触基板的区域钝化效果较好,不接触基板的区域钝化效果相对较差。因为基板为条形,钝化效果分布的图形也为条形,与扩散方阻分布的图形并不匹配,导致电池片上的少子寿命分不均,片内均匀性仅有10%左右。
本实施例的用于太阳能电池板式PECVD钝化的基板如图2所示,包括用于承载电池片的水平板体1,板体1上具有环绕电池片四周的卡点2,板体1上对应电池片中心的位置具有圆形的镂空3,镂空3的形状也可以是圆形、椭圆、方形、菱形或三角形等,板体1优选为铝板。放置在板体1上的电池片边缘区域钝化效果好于基板的中心镂空区域,与扩散方阻的分布相匹配,整片电池片的少子寿命分布更加均匀,片内均匀性提升5~10%。
使用时,采用以下步骤使用本实施例的基板对电池片进行钝化:
1)将已完成扩散的电池片表面进行二次清洗;
2)将电池片正面朝上放置于本实施例的太阳能电池板式PECVD基板上,保证电池片卡入卡点内并与基板表面良好接触;
3)把基板(包括电池片)传送到反应腔内,调整好镀膜工艺进行镀膜,完成电池片的钝化过程,所镀薄膜包括氮化硅膜、氧化硅膜、氧化铝膜、氧化钛膜等,可以是其中一种薄膜,也可以是几种薄膜的组合。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造