[实用新型]一种电动汽车传导式充电导引信号检测电路及系统有效
| 申请号: | 201320320357.9 | 申请日: | 2013-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN203422413U | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
| 发明(设计)人: | 林田生 | 申请(专利权)人: | 东莞钜威新能源有限公司 |
| 主分类号: | G01R15/14 | 分类号: | G01R15/14 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦;李庆波 |
| 地址: | 523808 广东省东莞市松*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电动汽车 传导 充电 导引 信号 检测 电路 系统 | ||
1.一种电动汽车传导式充电导引信号检测电路,所述电路与车辆接口连接,其特征在于,所述电路包括:
PWM信号隔离检测单元,用于隔离和检测所述车辆接口提供的第一PWM信号并输出第二PWM信号;
电缆容量隔离检测单元,用于根据所述车辆接口提供的连接确认信号检测所述电路的充电电缆容量;
接口连接隔离检测单元,用于根据所述连接确认信号检测所述车辆接口与充电设备是否完全连接;
处理单元,分别与所述PWM信号隔离检测单元、所述电缆容量隔离检测单元以及所述接口连接隔离检测单元连接,用于接收所述充电电缆容量以及所述车辆接口的连接状态并判断各单元的准备状态,来输出控制信号以控制所述PWM信号隔离控制单元;
PWM信号隔离控制单元,与所述处理单元以及所述PWM信号隔离检测单元连接,用于接收所述处理单元输出的控制信号,来控制所述车辆接口的检测点处的峰值电压,以判断车辆是否准备就绪,可以充电。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述PWM信号隔离控制单元包括:电阻R2、电阻R3、电阻R4以及继电器U1,所述电阻的R4第一端接第一参考电压,所述电阻R4的第二端连接所述继电器U1的第一端,所述继电器U1的第二端作为输入连接所述处理单元,所述继电器U1的第三端以及所述电阻R3的第一端接第一参考地,所述继电器U1的第四端连接所述电阻R2的第一端,所述电阻R2的第二端以及所述电阻R3的第二端连接所述PWM信号隔离检测单元。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述PWM信号隔离检测单元包括:二极管D1、电容C1、二极管D2、电阻R5、晶体管Q1以及电阻R6,所述二极管D1的正极为输入端,接收所述第一PWM信号,所述二极管D1的负极连接所述电容C1的第一端,所述电容C1的第二端连接所述二极管D2的负极、所述电阻R6的第一端以及所述晶体 管Q1的第三端,所述二极管D2的正极、所述电阻R6的第二端以及所述晶体管Q1的第二端接第二参考地,所述晶体管Q1的第一端连接电阻R5的第一端,并输出第二PWM信号至所述处理单元,所述电阻R5的第二端接第一参考电压。
4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电缆容量隔离检测单元包括:电阻R7、电阻R8、晶体管Q2、继电器U2、电阻R9以及电阻R10,所述电阻R7第一端输入所述连接确认信号,所述电阻R7第二端连接所述电阻R8的第一端以及所述晶体管Q2的第三端,所述电阻R8的第二端以及所述晶体管Q2的第二端连接所述第二参考电压,所述电阻R9的第一端连接所述继电器U2的第一端,所述电阻R9的第二端接所述第一参考地,所述继电器U2的第二端连接所述晶体管Q2的第一端,所述继电器U2的第三端接所述第二参考地,所述继电器U2的第四端连接所述电阻R10的第一端,并作为输出连接所述处理单元,所述电阻R10的第二端接所述第一参考电压。
5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述接口连接隔离检测单元包括:二极管D3、电阻R11、电阻R12、晶体管Q3、继电器U3、电阻R13以及电阻R14,所述二极管D3的正极为输入,接收所述连接确认信号,所述二极管D3的负极连接所述电阻R11的第一端,所述电阻R11的第二端连接所述电阻R12的第一端以及所述晶体管Q3的第三端,所述电阻R12的第二端以及所述晶体管Q3的第二端接第二参考电压,所述电阻R13的第一端接第一参考地,所述电阻R13的第二端连接所述继电器U3的第一端,所述继电器U3的第二端连接所述晶体管Q3的第一端,所述继电器U3的第三端接第二参考地,所述继电器U3的第四端连接所述电阻R14的第一端,并作为输出连接所述处理单元,所述电阻R14的第二端接第一参考电压。
6.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述处理单元为嵌入式处理单元,通过通信总线与充电设备进行通信以表示充电准备就绪,可以充电。
7.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述二极管D2为稳 压管或单向瞬态电压抑制器或肖特基二极管或普通二极管中任一种。
8.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述晶体管Q3为MOS管或三极管,所述继电器U3为光电继电器或者光电耦合器。
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