[实用新型]热处理装置有效
申请号: | 201320288698.2 | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN203277337U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 林欣润 | 申请(专利权)人: | 志圣工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人: | 任琳 |
地址: | 510850 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种热处理装置,尤其涉及一种能使制程气体或水蒸气均匀分布的热处理装置。
背景技术
一般的液晶显示器的透明基板上形成有用于控制液晶层的薄膜电晶体(TFT;Thin film transistor)。薄膜电晶体以往是以非晶硅为材料制成。目前相关技术逐渐采用IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide;氧化铟镓锌)为材料制成,其优点为电晶体尺寸能缩小、能提高液晶面板画素的开口率、电子迁移率较快、耗电量较低及光穿透率提高等优点。IGZO薄膜制程需于特定的环境下完成,此环境在湿度、制程气体浓度及温度上须符合一定的制程要求。特别的在多数片透明基板同时进行IGZO薄膜制程时,环境中的水蒸气及制程气体的需分布均匀,才能让那些透明基板的制程效果一致。因此,若能发展出一种新的热处理装置,能使装置内的水蒸气及制程气体均匀分布,将能有助于提高薄膜制程的良率。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种能使装置内气体均匀分布的热处理装置。
为实现上述目的,本实用新型提供一种热处理装置,包括一炉体,界定一腔室;一隔板单元,设置于所述腔室内并用于使所述腔室形成一循环通道;一抽风单元,设置于所述循环通道内并用于使所述腔室内的气体沿所述循环通道流动;一加热单元,设置于所述循环通道内并用于加热所述腔室内的气体;及一气体传输管,设置于所述炉体且伸入所述循环通道,所述气体传输管的延伸方向垂直于所述腔室内的气体的流动方向,所述气体传输管具有多个沿其延伸方向间隔分布的开口,所述气体传输管用于自所述炉体外部接收一预定气体,且使所述预定气体能由所述的多个开口进入所述循环通道。
较佳地,所述气体传输管的多个开口的方向与所述腔室内的气体流经所述气体传输管时的流动方向同向。
较佳地,所述炉体包括一底壁、一间隔于所述底壁的顶壁,及连接于所述底壁与所述顶壁之间一第一侧壁、一第二侧壁、一第三侧壁和一第四侧壁,所述第一侧壁与所述第二侧壁彼此呈平行且间隔相对,所述第三侧壁与所述第四侧壁彼此呈平行且间隔相对,且所述第三侧壁及所述第四侧壁垂直于所述第一侧壁及所述第二侧壁,所述隔板单元包括一第一隔板,及一连接于所述第一隔板的第二隔板,所述第一隔板与所述第一侧壁及所述第二侧壁平行,所述第二隔板与所述第三侧壁及所述第四侧壁平行,所述气体传输管设置于所述底壁并纵向延伸至所述第一隔板与所述第一侧壁之间。
较佳地,所述加热单元设置于所述第三侧壁且延伸至所述第三侧壁与所述第二隔板之间。
较佳地,所述抽风单元设置于所述第三侧壁且延伸至所述第三侧壁与所述第二隔板之间。
较佳地,还包含一设置于所述腔室内的侦测单元,及一电连接于所述加热单元、所述抽风单元及所述侦测单元的控制单元,所述侦测单元用于侦测所述腔室内的气体的温度及浓度,所述控制单元根据所述侦测单元的侦测结果控制所述加热单元及所述抽风单元。
较佳地,所述腔室内的气体沿水平方向流动,所述循环通道在直立方向上可区分为多个通道区,所述加热单元包括多个分别设置于所述的多个通道区内的加热器,所述抽风单元包括多个分别设置于所述的多个通道区内的抽风器,所述侦测单元包括多个分别设置于所述的多个通道区内且分别对应所述的多个加热器的温度侦测器,及多个分别设置于所述的多个通道区内且分别对应所述的多个抽风器的气体浓度侦测器,所述控制单元根据各所述温度侦测器的侦测结果控制所述温度侦测器对应的所述加热器的温度,所述控制单元根据各所述气体浓度侦测器的侦测结果控制所述气体浓度侦测器对应的所述抽风器的转速。
较佳地,还包含一设置于所述循环通道内的过滤单元,所述过滤单元用于过滤所述腔室内的气体。
与现有技术相比,本实用新型的热处理装置透过所述气体传输管的多个开口能使所述预定气体均匀进入所述循环通道,再搭配所述抽风单元使所述腔室内的气体沿所述循环通道流动,能使所述预定气体均匀地分布所述循环通道。
通过以下的描述并结合附图,本实用新型将变得更加清晰,这些附图用于解释本实用新型的实施例。
附图说明
图1为本实用新型热处理装置的较佳实施例的一俯视图。
图2为该较佳实施例的一侧视图。
图3为图1沿IV-IV剖线的一剖视图。
图4为图2沿V-V剖线的一剖视图。
图5为该较佳实施例的一气体传输管的一立体图。
图6为该较佳实施例的一硬体连接关系示意图。
具体实施方式
现在参考附图描述本实用新型的实施例,附图中类似的元件标号代表类似的元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造