[实用新型]热处理装置有效
申请号: | 201320288698.2 | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN203277337U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 林欣润 | 申请(专利权)人: | 志圣工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人: | 任琳 |
地址: | 510850 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
1.一种热处理装置,包括:
一炉体,界定一腔室;
一隔板单元,设置于所述腔室内并用于使所述腔室形成一循环通道;
一抽风单元,设置于所述循环通道内并用于使所述腔室内的气体沿所述循环通道流动;
一加热单元,设置于所述循环通道内并用于加热所述腔室内的气体;及
一气体传输管,设置于所述炉体且伸入所述循环通道,所述气体传输管的延伸方向垂直于所述腔室内的气体的流动方向,所述气体传输管具有多个沿其延伸方向间隔分布的开口,所述气体传输管用于自所述炉体外部接收一预定气体,且使所述预定气体能由所述的多个开口进入所述循环通道。
2.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:所述气体传输管的多个开口的方向与所述腔室内的气体流经所述气体传输管时的流动方向同向。
3.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:所述炉体包括一底壁、一间隔于所述底壁的顶壁,及连接于所述底壁与所述顶壁之间一第一侧壁、一第二侧壁、一第三侧壁和一第四侧壁,所述第一侧壁与所述第二侧壁彼此呈平行且间隔相对,所述第三侧壁与所述第四侧壁彼此呈平行且间隔相对,且所述第三侧壁及所述第四侧壁垂直于所述第一侧壁及所述第二侧壁,所述隔板单元包括一第一隔板,及一连接于所述第一隔板的第二隔板,所述第一隔板与所述第一侧壁及所述第二侧壁平行,所述第二隔板与所述第三侧壁及所述第四侧壁平行,所述气体传输管设置于所述底壁并纵向延伸至所述第一隔板与所述第一侧壁之间。
4.如权利要求3所述的热处理装置,其特征在于:所述加热单元设置于所述第三侧壁且延伸至所述第三侧壁与所述第二隔板之间。
5.如权利要求3所述的热处理装置,其特征在于:所述抽风单元设置于所述第三侧壁且延伸至所述第三侧壁与所述第二隔板之间。
6.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:还包含一设置于所述腔室内的侦测单元,及一电连接于所述加热单元、所述抽风单元及所述侦测单元的控制单元,所述侦测单元用于侦测所述腔室内的气体的温度及浓度,所述控制单元根据所述侦测单元的侦测结果控制所述加热单元及所述抽风单元。
7.如权利要求6所述的热处理装置,其特征在于:所述腔室内的气体沿水平方向流动,所述循环通道在直立方向上可区分为多个通道区,所述加热单元包括多个分别设置于所述的多个通道区内的加热器,所述抽风单元包括多个分别设置于所述的多个通道区内的抽风器,所述侦测单元包括多个分别设置于所述的多个通道区内且分别对应所述的多个加热器的温度侦测器,及多个分别设置于所述的多个通道区内且分别对应所述的多个抽风器的气体浓度侦测器,所述控制单元根据各所述温度侦测器的侦测结果控制所述温度侦测器对应的所述加热器的温度,所述控制单元根据各所述气体浓度侦测器的侦测结果控制所述气体浓度侦测器对应的所述抽风器的转速。
8.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:还包含一设置于所述循环通道内的过滤单元,所述过滤单元用于过滤所述腔室内的气体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于志圣工业股份有限公司,未经志圣工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320288698.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种援助卡套
- 下一篇:一种计算机程序加速方法和系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造