[实用新型]多方向出光的发光二极管芯片及其发光装置

说明书

技术领域

本实用新型关于一种用于形成多方向出光的发光二极管芯片及其发光装置，尤其是指一种用于形成多方向出光的发光二极管芯片及其发光装置。 

背景技术

发光二极管(light emitting diode, LED)本身所发出来的光是偏向一种指向性的光源，并不是像一般市场出售的灯泡为一种发散型的光源，因此在应用上会受到限制。举例说明，在一般室内外照明的灯具上的应用并无法达到所需要的光型。另外，已知发光二极管芯片仅可单面发光，因此具有较低的发光效率。 

实用新型内容

本实用新型的一目的在于提供一用于形成多方向出光的发光二极管芯片及其发光装置，以提升发光效率、改善光型并节省成本。 

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案为： 

一种多方向出光的发光二极管芯片，其包括：

一透明基板，具有一成长面与一第二主表面彼此相对设置；以及

若干个发光二极管结构，设置于所述成长面上，并与未设置所述发光二极管结构的部分所述成长面形成可发光的一第一主表面，其中所述若干个发光二极管结构均具有一第一电极与一第二电极；

其中所述若干个发光二极管结构中至少一个所述发光二极管结构的发光方向包括经过所述透明基板并从所述第二主表面出光。

作为本实用新型的进一步改进，还包括： 

一绝缘层，至少设置于部分所述若干个发光二极管结构上；以及

一导电图案，设置于所述绝缘层上，并与至少部分所述第一电极及至少部分所述第二电极电性连接；

其中各所述发光二极管结构包括：

一第一半导体层，设置于所述透明基板上；

一主动层，设置于所述第一半导体层上；以及

一第二半导体层，设置于所述主动层上。

作为本实用新型的进一步改进，所述发光二极管结构还包括一缓冲层，设置于所述第一半导体层与所述透明基板之间。 

作为本实用新型的进一步改进，所述第一半导体层、所述主动层、所述第二半导体层与所述缓冲层的材料包括三A族的氮化物。 

作为本实用新型的进一步改进，还包括至少一波长转换层，设置于所述发光二极管结构、所述第一主表面或所述第二主表面上，所述波长转换层至少部分吸收所述若干个发光二极管结构所发出的光线，并转换为不同波长范围的光线。 

作为本实用新型的进一步改进，所述波长转换层设置于所述第一主表面与所述第二主表面上，且上述不同位置的所述波长转换层所含荧光粉比例为1比0.5至1比3。 

作为本实用新型的进一步改进，各所述发光二极管结构的功率在0.2瓦特以下。 

作为本实用新型的进一步改进，所述透明基板的材质包括选自氧化铝、含有氧化铝的蓝宝石、碳化硅、玻璃、塑料或橡胶的其中任一种。 

作为本实用新型的进一步改进，所述第二主表面具有一非平面结构。 

作为本实用新型的进一步改进，所述芯片还包括一类金刚石碳膜，设置于所述成长面或所述第二主表面上。 

作为本实用新型的进一步改进，还包括一光学膜，设置于所述透明基板与所述类金刚石碳膜之间。 

作为本实用新型的进一步改进，至少一个所述发光二极管结构的出光角度大于180度。 

作为本实用新型的进一步改进，所述透明基板材质包括蓝宝石且厚度大于或等于200微米。 

作为本实用新型的进一步改进，所述第一电极与所述第二电极分别与所述透明基板上的一第一连接导线以及一第二连接导线电性连接。 

作为本实用新型的进一步改进，所述第一主表面与所述第二主表面的光线色温差异等于或小于1500K。 

作为本实用新型的进一步改进，所述透明基板对波长范围大于或等于420纳米，或小于或等于470纳米的光线，所述基板的光穿透率大于或等于70%。 

作为本实用新型的进一步改进，其中各所述发光二极管结构均具有一发光面，且所述第一主表面或所述第二主表面的面积为该些发光二极管结构的该些发光面的总面积5倍以上。 

作为本实用新型的进一步改进，其中所述波长转换层设置于所述发光二极管结构与所述第二主表面上，且不同位置的所述波长转换层所含荧光粉比例为1比0.5至1比3。 

作为本实用新型的进一步改进，还包括一反射镜或滤波器，设置于所述第二主表面上或成长面上。