[实用新型]多方向出光的发光二极管芯片及其发光装置

权利要求书

1.一种多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，包括：

一透明基板，具有一成长面与一第二主表面彼此相对设置；以及

若干个发光二极管结构，设置于所述成长面上，并与未设置所述发光二极管结构的部分所述成长面形成可发光的一第一主表面，其中所述若干个发光二极管结构均具有一第一电极与一第二电极；

其中所述若干个发光二极管结构中至少一个所述发光二极管结构的发光方向包括经过所述透明基板并从所述第二主表面出光。

2.根据权利要求1所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：

一绝缘层，至少设置于部分所述若干个发光二极管结构上；以及

一导电图案，设置于所述绝缘层上，并与至少部分所述第一电极及至少部分所述第二电极电性连接；

其中各所述发光二极管结构包括：

一第一半导体层，设置于所述透明基板上；

一主动层，设置于所述第一半导体层上；以及

一第二半导体层，设置于所述主动层上。

3.根据权利要求2所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管结构还包括一缓冲层，设置于所述第一半导体层与所述透明基板之间。

4.根据权利要求3所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一半导体层、所述主动层、所述第二半导体层与所述缓冲层的材料包括三A族的氮化物。

5.根据权利要求1所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，还包括至少一波长转换层，设置于所述发光二极管结构、所述第一主表面或所述第二主表面上，所述波长转换层至少部分吸收所述若干个发光二极管结构所发出的光线，并转换为不同波长范围的光线。

6.根据权利要求5所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，所述波长转换层设置于所述第一主表面与所述第二主表面上，且上述不同位置的所述波长转换层所含荧光粉比例为1比0.5至1比3。

7.根据权利要求1所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，各所述发光二极管结构的功率在0.2瓦特以下。

8.根据权利要求1所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，所述透明基板的材质包括选自氧化铝、含有氧化铝的蓝宝石、碳化硅、玻璃、塑料或橡胶的其中任一种。

9.根据权利要求1所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二主表面具有一非平面结构。

10.根据权利要求1所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，所述芯片还包括一类金刚石碳膜，设置于所述成长面或所述第二主表面上。

11.根据权利要求10所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，还包括一光学膜，设置于所述透明基板与所述类金刚石碳膜之间。

12.根据权利要求1所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，至少一个所述发光二极管结构的出光角度大于180度。

13.根据权利要求1所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，所述透明基板材质包括蓝宝石且厚度大于或等于200微米。

14.根据权利要求1所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极分别与所述透明基板上的一第一连接导线以及一第二连接导线电性连接。

15.根据权利要求1所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一主表面与所述第二主表面的光线色温差异等于或小于1500K。

16.根据权利要求1所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，所述透明基板对波长范围大于或等于420纳米，或小于或等于470纳米的光线，所述基板的光穿透率大于或等于70%。

17.根据权利要求1所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，其中各所述发光二极管结构均具有一发光面，且所述第一主表面或所述第二主表面的面积为该些发光二极管结构的该些发光面的总面积5倍以上。

18.根据权利要求1所述多方向出光的发光二极管芯片，其特征在于，其中所述波长转换层设置于所述发光二极管结构与所述第二主表面上，且不同位置的所述波长转换层所含荧光粉比例为1比0.5至1比3。