[实用新型]基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器有效
| 申请号： | 201320277821.0 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN203301452U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 魏榕山;陈寿昌;于志敏;黄凤英;何明华 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H03K19/0948 | 分类号： | H03K19/0948 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福建省福州市铜*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 微分 电阻 特性 set cmos 锁存器 | ||
【权利要求书】：
1. 一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器，包括一双栅单电子晶体管、一PMOS管和一NMOS管，其特征在于：所述PMOS管的源极连接电源电压Vdd，所述PMOS管的栅极作为所述锁存器的输入端，所述PMOS管的漏极作为所述锁存器的输出端并连接所述NMOS管的漏极和所述双栅单电子晶体管的一个栅极，所述NMOS管的栅极连接一基准电压Vg，所述NMOS管的源极连接所述双栅单电子晶体管的漏极，所述双栅单电子晶体管的另一个栅极连接一控制电压Vctrl，所述双栅单电子晶体管的源极接地。
2. 根据权利要求1所述的一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS锁存器，其特征在于：所述双栅单电子晶体管由两个隧穿结通过库仑岛串联而成，外加的偏置电压由栅极电容耦合到库仑岛上，以控制器件的隧穿电流。
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