[实用新型]清洗槽

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种清洗槽。 

背景技术

在半导体集成电路制造过程中，晶片在化学机械研磨（CMP）机台中经过抛光后，要继续经过一系列的清洗步骤，除去在抛光过程中晶片表面所残留的研磨液、化学研磨液以及研磨微粒的污染，用以保证晶片后续加工制造过程中的质量。通常，将CMP后的晶片放入一清洗槽，使用清洗液加超声波的清洗方法将残留在晶片上的污染物去除。 

如图1所示，用于清洗CMP后的晶片的清洗槽100，包括外清洗槽101和内清洗槽102，所述内清洗槽102放置于所述外清洗槽101中，且所述内清洗槽102和外清洗槽101均为上开口。其中，外清洗槽101的上沿口要高于内清洗槽102的上沿口，在内清洗槽102的底部侧壁上设置有旋转装置103，在内清洗槽102的底壁上设置有超声波振动器104。在内清洗槽102中盛有流动的清洗液，清洗液从内清洗槽102的底壁注入向上流动，当清洗液充满内清洗槽102后，清洗液会从内清洗槽102的上沿口溢出进入外清洗槽101内。在内清洗槽102中，清洗液的流动方向为从下往上。 

当要对晶片进行清洗时，要将晶片从内清洗槽102的上开口放入内清洗槽102内的旋转装置103上，旋转装置103会带动晶片在清洗液中旋转，同时超声波振动器104在清洗液中产生超声波，将附着在晶片上的污染物清除掉，清除后的污染物会混入清洗液中，因为内清洗槽102内的清洗液的流动方向是从下往上的，因此混入清洗液中的污染物会被流动的清洗液带出内清洗槽102而进入外清洗槽101内，避免了流在内清洗槽102内对晶片造成二次污染。但是，因为在所述内清洗槽102的上沿口为锯齿状，在污染物从内清洗槽102向外清洗槽101内流出时，会受到内清洗槽102上沿口的阻挡而附着在其上，附着在 内清洗槽102上沿口的污染物到达一定程度后，会出现脱落而重新落入内清洗槽102内，又会导致对晶片的二次污染，从而造成晶片的不良。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种清洗槽，以解决现有技术中的清洗槽的内清洗槽的污染物掉落后对晶片造成二次污染的问题，减少因此对晶片造成的相关不良，从而达到提高良率的目的。 

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种清洗槽，包括一内清洗槽，所述内清洗槽具有一底壁以及连接于所述底壁上的四个侧壁，所述内清洗槽还包括： 

一过滤网；以及 

一自动开关的槽盖，所述槽盖与所述底壁相对设置并位于所述侧壁上，所述槽盖与所述底壁和侧壁围成一封闭的容纳空间； 

其中，至少一个所述侧壁在靠近槽盖的一端上设置有一开口，所述开口被所述过滤网覆盖。 

可选的，所述过滤网的材料均为聚丙烯树脂。 

可选的，所述过滤网包括从槽内至槽外依次编织的内层滤网和外层滤网，所述内层滤网由内层纤维编织而成，所述外层滤网由外层纤维编织而成。 

可选的，所述内层纤维的线径大于所述外层纤维的线径。 

可选的，所述内层纤维的编织密度高于所述外层纤维的编织密度。 

可选的，每个所述侧壁在靠近槽盖的一端上均设置有所述开口，多个所述开口连接形成一封闭环。 

可选的，所述内清洗槽还包括一控制气缸，所述控制气缸与所述槽盖连接。 

可选的，所述清洗槽还包括一外清洗槽，所述外清洗槽包括一敞口槽体，所述内清洗槽设置于所述外清洗槽内。 

可选的，所述内清洗槽还包括： 

设置于所述底壁上的超声波振动器；以及 

设置于所述侧壁上的旋转装置。 

可选的，所述内清洗槽的底壁上设置有进液口，所述内清洗槽的所述侧壁设置有出液口。 

本实用新型所提供的清洗槽，包括一内清洗槽，所述内清洗槽具有一底壁以及连接于所述底壁上的多个侧壁，所述内清洗槽还包括：一过滤网；以及一自动开关的槽盖，所述槽盖与所述底壁相对设置并位于所述侧壁上，所述槽盖与所述底壁和侧壁围成一封闭的容纳空间；其中，至少一个所述侧壁在靠近槽盖的一端上设置有一开口，所述开口被所述过滤网覆盖。因为所述侧壁在靠近槽盖的一端上设置了开口，并且所述开口被所述过滤网覆盖，因此在所述槽盖与所述底壁和侧壁围成一封闭的容纳空间中，清洗液只能从通过过滤网才能外溢到内清洗槽外，这样清洗液中的污染物就会被过滤网截留并吸附在过滤网上，避免了污染物脱落重新落入清洗槽中而造成对晶片的二次污染，降低了与此相关的缺陷的发生率。 

附图说明

图1是现有技术中清洗槽的结构示意图； 

图2为本实用新型一实施例的清洗槽的结构示意图；