[实用新型]超微晶功率合成电路有效
申请号: | 201320239732.7 | 申请日: | 2013-05-06 |
公开(公告)号: | CN203278750U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 谢家祥;谭啸;陈军;郭欣;张伟 | 申请(专利权)人: | 北京北广科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F1/06;H01F27/28 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 101312 北京市顺*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超微晶 功率 合成 电路 | ||
1.一种超微晶功率合成电路,其特征在于,包括:开关放大电路、功率合成变压电路以及负载电路,其中,
所述超微晶功率合成电路连接于所述开关放大电路与所述负载电路之间,用于对所述开关放大电路的输出阻抗进行阻抗变换和噪声隔离。
2.根据权利要求1所述的超微晶功率合成电路,其特征在于,所述功率合成变压电路包括多个功率合成变压器,所述开关放大电路包括多个开关放大器,其中,
每个所述开关放大器的输出端分别与一个所述功率合成变压器的输入端连接;
所有所述功率合成变压器的输出端的接线端子依次首尾相接,第一个所述功率合成变压器的输出端的第一接线端子与所述负载电路的第一输入端连接,最后一个所述功率合成变压器的输出端的第一接线端子与所述负载电路的第二输入端连接。
3.根据权利要求2所述的超微晶功率合成电路,其特征在于,每个所述功率合成变压器分别包括:第一变压器和隔直电容电路,其中,
所述隔直电容电路的第一端作为所述功率合成变压器的输入端的第一接线端子,其另一端与所述第一变压器的初级绕组的第一接线端子连接,所述第一变压器的初级绕组的第二接线端子作为所述功率合成变压器的输入端的第二接线端子;
所述第一变压器的次级绕组的第一接线端子作为所述功率合成变压器的输出端的第一接线端子,所述第一变压器的次级绕组的第二接线端子作为所述功率合成变压器的输出端的第二接线端子;
每个所述开关放大器的输出端的第一接线端子与对应的所述功率合成变压器的输入端的第一接线端子连接,每个所述开关放大器的输出端的第二接线端子与对应的所述功率合成变压器的输入端的第二接线端子连接;
所有所述第一变压器的次级绕组的接线端子依次首尾相接,第一个所述第一变压器的次级绕组的第一接线端子与所述负载电路的第一输入端连接,最后一个所述第一变压器的次级绕组的第一接线端子与所述负载电路的第二输入端连接。
4.根据权利要求3所述的超微晶功率合成电路,其特征在于,所述隔直电容电路包括:隔直流电容器。
5.根据权利要求3所述的超微晶功率合成电路,其特征在于,所述第一变压器的所述初级绕组和所述次级绕组的绕线为单层绕制,所述第一变压器的所述初级绕组和所述次级绕组的绕线均沿所述第一变压器的磁芯均匀绕制。
6.根据权利要求5所述的超微晶功率合成电路,其特征在于,所述第一变压器的所述初级绕组的第一绕线和所述次级绕组的第二绕线之间通过绝缘骨架进行绝缘隔离。
7.根据权利要求3所述的超微晶功率合成电路,其特征在于,所述第一变压器的磁芯包括超微晶罐形磁芯。
8.根据权利要求3所述的超微晶功率合成电路,其特征在于,所述第一变压器的磁芯包括超微晶环形磁芯。
9.根据权利要求3所述的超微晶功率合成电路,其特征在于,所述第一变压器的磁芯包括超微晶U型磁芯。
10.根据权利要求3所述的超微晶功率合成电路,其特征在于,所述第一变压器的磁芯包括超微晶E型磁芯。
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