[实用新型]双半桥注入锁相功率合成高压钠灯

权利要求书

1.一种双半桥注入锁相功率合成高压钠灯，包括包括电源滤波器EMI、整流桥堆、高压钠灯管，其特征在于：还包括功率因数校正APFC、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器、调频信号发生器、灯管触发电路、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含RC振荡器、半桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻R₄和电容C₅同步振荡，输出分别经半桥逆变驱动电路连接均由两个功率MOS场效应管互补组成的半桥逆变器A、半桥逆变器B，自振荡芯片及半桥逆变器A输出功率变压器T₁与自振荡芯片及半桥逆变器B输出功率变压器T₂馈入相加耦合器，功率合成接灯管触发电路引燃高压钠灯启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片RC振荡器C_T端锁定相位，调频信号发生器三角波信号接入两个自振荡芯片RC振荡器R_T端调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号经电阻三极管接两个自振荡芯片RC振荡器C_T端控制振荡快速关断，电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接基准晶振、分频器、调频信号发生器、自振荡芯片及半桥逆变器A、自振荡芯片及半桥逆变器B电源端。

2.根据权利要求1所述的双半桥注入锁相功率合成高压钠灯，其特征在于：调频信号发生器由时基芯片IC₆、电阻R₂₂、R₂₃、R₂₄和电容C₂₄多谐振荡，IC₆的DIS端由电阻R₂₁接场管Q₄栅极，电容C₂₆接Q₄源极电阻R₂₀自举正反馈，输出线性锯齿波信号，接入两个自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁。

3.根据权利要求1所述的双半桥注入锁相功率合成高压钠灯，其特征在于：灯管触发电路由灯管一端经脉冲点火变压器T₅电感L₁₃、电容C₂₀接相加耦合器T₄电感L₁₁，电容C₂₀与电感L₁₃接点并接电阻R₁₈，T₅电感L₁₂接接地电容C₂₁，双向触发二极管VD₁₆串联T₅电感L₁₂接地，直流高压发生器由芯片IC₆振荡输出方波经变压器T₆电感L₁₅，由电感L₁₆升压、二极管VD₁₇整流电容C₂₈、电阻R₂₆滤波，经电阻R₁₉接电容C₂₀与T₅电感L₁₃接点，灯管另一端穿过灯异常检测电流互感磁环电感L₁₄接地，由二极管VD₁₅检波、电容C₂₂电阻R₂₇滤波，经电阻R₁₅、R₁₆分压、三极管VT₁接两个自振荡芯片RC振荡器C_T端。

4.根据权利要求1所述的双半桥注入锁相功率合成高压钠灯，其特征在于：功率因数校正APFC由整流桥堆VD_1～4输出经磁性变压器T₁电感L₃接Q₁漏极、升压二极管VD₁₁至电容C₁₁作为功率因数校正APFC输出，电阻R₄接整流桥堆输出引入芯片IC₄电源端，并与磁性变压器T₁电感L₄经二极管VD₅检波电压为芯片IC₄控制门限开启，电阻R₂、R₃接整流桥堆输出分压取样接入芯片IC₄乘法器一端，乘法器另一端接电阻R₈、R₉分压取样输出电压，乘法器输出与Q₁源极接地电阻点连接峰值电流检测比较器，芯片IC₄输出接Q₁栅极，磁性变压器T₁电感L₅高频电压由二极管VD_6～9整流、二极管VD₁₀稳压、电容C₁₂滤波接基准晶振、分频器电源端。