[实用新型]一种三维量子阱结构光电裸芯片有效
申请号: | 201320224161.X | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN203205452U | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 汪学方 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/24;H01L31/0352;H01S5/34 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 方放 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三维 量子 结构 光电 芯片 | ||
1.一种三维量子阱结构光电裸芯片,自下而上包括:衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层、p型层,其特征在于:
所述衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层和p型层表面形状走向一致,均为均匀分布的凸台阵列或者均匀分布的凹槽阵列,或者均匀分布的相间的凸台和凹槽所构成的阵列。
2.如权利要求1所述的三维量子阱结构光电裸芯片,其特征在于:
所述凸台为圆柱形或多边柱形,高度为10纳米~1毫米;所述凹槽为圆孔形或多边孔形,深度为10纳米~1毫米。
3.如权利要求1或2所述的三维量子阱结构光电裸芯片,其特征在于:
所述缓冲层为应力小于50MPa的氮化物材料,包括氮化硅、氮化铝、氮化镓、铝镓氮。
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