[实用新型]一种三维量子阱结构光电裸芯片有效
| 申请号： | 201320224161.X | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN203205452U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 汪学方 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L31/0352;H01S5/34 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 方放 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 量子 结构 光电 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维量子阱结构光电裸芯片，自下而上包括：衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层、p型层，其特征在于：
所述衬底层、缓冲层、n型层、量子阱层和p型层表面形状走向一致，均为均匀分布的凸台阵列或者均匀分布的凹槽阵列，或者均匀分布的相间的凸台和凹槽所构成的阵列。
2.如权利要求1所述的三维量子阱结构光电裸芯片，其特征在于：
所述凸台为圆柱形或多边柱形，高度为10纳米～1毫米；所述凹槽为圆孔形或多边孔形，深度为10纳米～1毫米。
3.如权利要求1或2所述的三维量子阱结构光电裸芯片，其特征在于：
所述缓冲层为应力小于50MPa的氮化物材料，包括氮化硅、氮化铝、氮化镓、铝镓氮。
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