[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201320216784.2 申请日: 2013-04-25
公开(公告)号: CN203277384U 公开(公告)日: 2013-11-06
发明(设计)人: 姜清华;李小和;刘永;李红敏;邵贤杰 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;陈源
地址: 230011 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及显示技术领域,具体地,涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

液晶显示装置(LCD:Liquid Crystal Display)因其体积小、功耗低、无辐射等特点已成为目前平板显示装置中的主流产品。液晶显示装置通常包括阵列基板和彩膜基板,阵列基板和彩膜基板对盒形成液晶面板(Panel)。其中,一般情况下,阵列基板上设置有栅线(Gate line)即扫描线、数据线(Data line)以及公共电极线(Common line),扫描线和数据线交叉将所述阵列基板划分为多个子像素区,在子像素区内对应设置有像素电极);彩膜基板上设置有公共电极,公共电极通过各向异性导电胶与阵列基板上的公共电极线连接。

目前,在液晶显示装置中通常采用逐行扫描方式来实现图像显示,即:扫描线一行一行地打开,数据线一行一行地刷新数据信号。当扫描线被打开时,相应的数据线上的数据电压使像素电极获得电压,并显示相应的图像。为了保证像素电极在一个帧周期内都能保持恒定电压,通常在公共电极和像素电极之间设置存储电容(Cs),该存储电容能在扫描线未被选中时,继续维持像素电极上的电压,并使其显示相应的图像。

存储电容对于维持液晶显示装置在一个帧周期内的图像显示具有至关重要的作用,例如:对于一款分辨率为1024×600的液晶显示装置,在60Hz的画面更新频率下,每行栅线打开的时间为1/60*1/600秒(由于阻容延迟及行间扫描间隔等原因,实际打开时间会更短),而在其余的1/60*(1-1/600)时间内该行栅线是处于关闭状态的,也就是说在1/60*1/600秒的时间内像素电极处于充电状态,1/60*(1-1/600)的时间像素电极处于非充电状态,而液晶的偏转必须依靠像素电极与公共电极之间的电压来驱动,为了能够有效驱动液晶并使图像完美呈现,在像素电极处于非充电状态时,通过存储电容使像素电极上的电压尽可能保持恒定,即利用存储电容为处于非充电状态时的像素电极补充电荷。对于TN型薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-LCD),目前的普遍做法是将公共电极线作为电容的一极,像素电极作为电容的另一极,公共电极线与像素电极重叠部分形成存储电容,即存储电容两极分别与像素电极和公共电极连接,从而保持像素电极上的电压恒定。

如图1所示,阵列基板上公共电极线与数据线有交叉,如图中椭圆标记,在交叉点5二者容易发生短路。当发生短路不良时,目前普遍采用的修复方法分别为切断数据线进行修复以及切断公共电极线进行修复,具体如下:

方法一:切断数据线进行修复:

如图1和图2所示,在液晶面板(Panel)的周边设置修补线9,利用激光镭射修复机将数据线2在交叉点5两侧切断,切断点6如图1和图2中的“X”所示,然后将没有信号输入的数据线2的一端通过打孔10连接到修补线9上,然后将修补线9连接到为数据线2提供信号的电路板11上,从而修复被切断的数据线2。但是这种修复方法存在几个明显的缺陷:

a.一方面,对数据线2的切割是通过激光镭射进行,会有将修补线9也切断的风险;另一方面,在数据线2与修补线9交叉处通过激光镭射打孔10使二者连接后,由于数据线2加长使其电阻增大,从而造成整条数据线的阻容延迟;况且一旦修补失败会造成整条数据线不良,甚至会导致整片液晶面板报废;

b.基于成本考虑,不是所有的显示装置都会在液晶面板的周边设计修补线,特别是小尺寸显示装置,因而一旦出现数据线与公共电极线短路,该片液晶面板只能成为次品或者直接报废;

c.液晶面板周边的修补线一般为1-2条,太多会增加修复成本和边框的宽度,因而对于数据线多点短路的情况无法完全修复。

方法二:切断公共电极线进行修复:

如图3所示,利用激光镭射修复机将公共电极线3切断,切断点6如图3中竖虚线所示,但是由于像素电极4与公共电极线3在正投影方向上有部分重叠,而且像素电极材料的熔点比公共电极线材料的熔点低,因而在激光切割的时候很容易造成像素电极与公共电极线短路,进而产生新的产品缺陷。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术中存在的上述技术问题,提供了一种阵列基板及显示装置,所述阵列基板通过将公共电极线在对应连接部的地方设置为凹部,从而使得公共电极线与数据线之间的距离在连接部处增大,进而使得公共电极线与数据线在发生短路时,有利于公共电极线的成功切断,同时也增加了公共电极线与像素电极之间的重叠面积,也即增大了存储电容的容量。

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