[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
| 申请号: | 201320216784.2 | 申请日: | 2013-04-25 |
| 公开(公告)号: | CN203277384U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
| 发明(设计)人: | 姜清华;李小和;刘永;李红敏;邵贤杰 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括栅线、数据线和公共电极线,所述栅线与所述数据线交叉将所述阵列基板划分为多个子像素区,所述子像素区内设置有像素电极和公共电极线,相邻的所述子像素区中的所述公共电极线之间设置有连接部,其特征在于,紧邻同一所述数据线且分别对应着不同子像素区的公共电极线,所述公共电极线在对应着所述连接部处分别设置有凹部,所述凹部向各自所对应的所述子像素区内部凹陷,所述连接部的两端分别与所述凹部的底部电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凹部以所述数据线为对称轴对称分布,且同一数据线两侧的所述凹部的开口相向设置,所述凹部与所述像素电极边缘区域在正投影方向上部分重叠或者完全重叠。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述连接部与相邻所述子像素区之间的所述数据线在正投影方向上有交叉点但不互相电连接,所述连接部与所述像素电极在正投影方向上没有重叠或者部分重叠。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极线对应设置在所述像素电极的部分边缘区域,所述公共电极线除所述凹部以外的区域与所述像素电极部分重叠或完全重叠。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述凹部呈开口矩形状,所述开口矩形在长度或宽度方向上与所述数据线平行,所述开口矩形在宽度或长度方向上与所述数据线垂直,所述开口矩形的长度范围为12-20μm,所述开口矩形的宽度范围为6-10μm。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述凹部呈开口椭圆状,所述开口椭圆在长轴或短轴方向上与所述数据线平行,所述开口椭圆在短轴或长轴方向上与所述数据线垂直,且所述开口椭圆的长轴的长度范围为12-20μm,所述开口椭圆的短轴的长度范围为6-10μm。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极线与所述栅线形成在所述阵列基板的同一层中;所述数据线设置在所述公共电极线的上方;所述像素电极设置在所述数据线的上方。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极线、所述栅线和所述数据线采用相同的导电材料制成。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,在所述子像素区内还设置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极;所述栅极与所述栅线电连接,所述源极与所述数据线电连接,所述漏极与所述像素电极电连接。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9任意一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





