[实用新型]一种基板封装装置有效
申请号: | 201320209661.6 | 申请日: | 2013-04-23 |
公开(公告)号: | CN203192799U | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 孙中元;田彪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及OLED(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示屏生产工艺,特别是采用UV(紫外线)固化方法的对盒设备时对OLED封装的基板封装装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)已经成为国内外非常热门的显示器产品,这是因为OLED显示器具有自发光、反应时间短(1μs)、广视角、响应速度快、工作温度范围宽、可实现柔性显示等一系列优点。在OLED器件发展的过程中,研究人员对OLED本身的衰退机制进行了分析,其中选择更稳定的发光材料或者通过电路进行回馈控制等方法能够让OLED寿命延长1.5~10倍,而有效的封装方法则可以让OLED寿命延长20倍以上。由此可见,封装工艺是OLED寿命最重要的一环。目前OLED的封装有盖板封装、薄膜封装、玻璃胶封装等多种方法,其中盖板封装的工艺最为简单,目前应用较为广泛。所述盖板封装包括UV胶涂布固化工艺。
如图1所示,现有技术中在使用UV胶涂布工艺中,封装基板3和蒸镀基板9在第一腔体1内进行对盒工序,第一腔体内部的环境中为水氧值小于10ppm的N2保护氛围。在对盒工艺步骤完成后,UV灯管7打开,等光波稳定后,UV挡板(UV Shutter)6开放,UV光透过石英挡板5和UV掩模板4照在封装基板3和蒸镀基板9之间的UV胶上,以实现UV胶的固化。在UV固化过程中,只需要固化面板周边涂布的UV胶,OLED器件不能够被UV光照到,所以在玻璃基板的下面有一个阻挡UV光照射OLED器件区域的UV掩模板(UV Mask)4,根据产品尺寸的不同,UV掩膜板的设计也不相同。
现有设备中,UV掩模板放置在第一腔体1中,所以每次更换产品时,需要操作上吸盘10将UV掩模板吸起,然后打开第一腔体门8,将UV掩模板取出更换。由于第一腔体门打开后,洁净间内的大气进入第一腔体,所以需要进行腔体抽真空和充N2的循环,以保证腔体内部水氧值小于10ppm的要求。
UV掩模板的更换不仅需要打开第一腔体进行手动操作,同时第一腔体内的保护氛围遭到破坏,还需要进行抽真空和充N2的循环,十分浪费时间。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种基板封装装置,可以在不破坏第一腔体保护氛围的情况下更换UV掩模板,方便快捷。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种基板封装装置,包括本体,所述本体包括:用于封装基板、蒸镀基板进行对盒的第一腔体,以及设置在所述第一腔体下方用于容纳UV掩模板的第二腔体,其中所述第一腔体和所述第二腔体相互气密性隔离,所述第二腔体的侧壁上设有能够取出UV掩模板的开口。
进一步的,所述第一腔体和所述第二腔体由设置在所述本体内的一可透光的挡板分隔形成。
进一步的,所述开口处设置有一用于承载UV掩模板的抽屉式结构,所述第二腔体的内侧壁上设有轨道,所述抽屉式结构包括:
第二腔体门;
用于放置UV掩模板的可透光的托板,一端与所述第二腔体门固定连接,且可滑动的设置在所述轨道上。
进一步的,所述托板上设有调节UV掩模板位置的调节结构。
进一步的,所述调节结构包括多个设置在所述托板上的可调节式对位挡针。
进一步的,所述托板与所述挡板之间具有预设距离。
进一步的,所述第二腔体门远离所述托板的一侧设置有把手。
进一步的,所述轨道为设置在所述第二腔体相对的内侧壁上的多个滚轮。
进一步的,所述托板、所述挡板均采用石英制作。
进一步的,所述UV掩模板通过在玻璃基板上蒸镀金属制成。
本实用新型的有益效果是:将UV掩模板对立放置在第二腔体内,与第一腔体完全分离,在更换UV掩膜板时不需要进行抽真空及充N2的循环操作,大大缩短了UV掩膜板的更换时间。
附图说明
图1表示现有技术中基板封装装置结构示意图;
图2表示本实用新型基板封装装置结构示意图;
图3表示本实用新型第二腔体结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型结构和原理进行详细说明,所举实施例仅用于解释本实用新型,并非以此限定本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的