[实用新型]一种湿法刻蚀机有效
申请号: | 201320194314.0 | 申请日: | 2013-04-16 |
公开(公告)号: | CN203179850U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 李建朋;吴成新;王海涛;王月超;王超 | 申请(专利权)人: | 天津英利新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 301510 天津市滨海新区津汉公*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能应用设备技术领域,特别涉及一种湿法刻蚀机。
背景技术
随着世界范围内能源危机的爆发,风力和太阳能等可再生能源得到越来越广泛的应用,从而带动了可再生能源发电系统的蓬勃发展。在众多的可再生能源中,太阳能分布较为广泛,且从我国的地理分布情况来看,我国大部分地区的太阳能辐射量都比较丰富,因此,太阳能的开发和应用更为便捷。
太阳能电池是人们利用太阳能的一种主要方式,其主要部件是太阳能电池片。太阳能电池片是由硅片经过表面制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷烧结等工艺过程制备而成。其中,刻蚀工艺是太阳能电池片制造过程中的一个重要工序,目的是去除硅片下表面及四个侧面的PN结,以达到上下表面绝缘的目的,同时去除上表面的磷硅玻璃层。
当前太阳能电池制造时常用的一种刻蚀方法是湿法刻蚀,通过化学试剂腐蚀掉硅片下表面及四个侧面的PN结和磷硅玻璃层,湿法刻蚀机为太阳能电池湿法刻蚀的重要设备。
请参考图1和图2,图1为一种典型的湿法刻蚀机的结构示意图;图2为图1所示湿法刻蚀机中注液装置的结构示意图。
一种典型的湿法刻蚀机包括刻蚀槽11和设置在刻蚀槽11旁侧的溢流槽12,刻蚀槽11与溢流槽12之间设置有挡板13,湿法刻蚀工艺主要是在该刻蚀槽11内进行的,刻蚀槽11和溢流槽12内均设置有多根平行的滚轮14,刻蚀槽11上开设有注液装置16,注液装置沿竖直方向设置有两排注液孔161,注液孔161向刻蚀槽内注满氢氟酸、硝酸和硫酸的混合药液,待加工的硅片15在滚轮14带动下经过刻蚀槽11,完成刻蚀工艺。
但在实际生产过程中,刻蚀槽11在注入新鲜药液时,注液孔3中伴随着药液会产生些许气泡,气泡漂浮到药液表面后炸裂造成药液飞溅,飞溅的药液滴落到正在刻蚀的硅片的扩散面后,就会造成最终太阳能电池的表面不合格,降低了太阳能电池的合格率。目前多采用降低新鲜药液注入的速度或降低新鲜药液的粘度的方法来减少刻蚀槽内气泡的产生,但是工艺参数的更改,会不可避免的影响到硅片的刻蚀质量。
因此,如何在保证硅片刻蚀质量的情况下,避免气泡飞溅,从而提高硅片的合格率,就成为本领域技术人员亟需解决的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种湿法刻蚀机,其能够在保证硅片刻蚀质量的情况下,避免气泡飞溅,从而提高了硅片的合格率。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种湿法刻蚀机,包括内置有注液装置的刻蚀槽和与所述刻蚀槽通过挡板分隔的溢流槽,所述注液装置的侧壁开设有注液孔;还包括导气管,所述导气管的进气口设置于所述注液装置的腔体内,且位于所述注液孔的上方,所述导气管的出气口设置于所述刻蚀槽内。
优选地,所述导气管穿过所述注液装置的侧壁。
优选地,所述导气管的数目为两根,且两所述导气管并列设置。
优选地,所述导气管为PVDF管。
优选地,所述注液孔沿所述注液装置的延伸方向设置一排。
优选地,所述注液孔靠近所述注液装置的底部设置。
本实用新型所提供的湿法刻蚀机包括刻蚀槽、设置于刻蚀槽内的注液装置和与刻蚀槽通过挡板分隔的溢流槽,注液装置的侧壁开设有注液孔,药液通过注液孔注入刻蚀槽,该湿法刻蚀机还包括导气管,导气管的进气口设置于刻蚀槽内,且位于注液孔的上方,导气管的出气口设置于刻蚀槽内;这样,在向刻蚀槽中注入新鲜药液时,药液从注液装置的注液孔中流出,药液中的气泡从注液装置侧面的导气管排出进入溢流槽,从而能够在保证硅片刻蚀质量的情况下,减少气泡的产生,避免气泡飞溅,进而提高了硅片的合格率。
在一种优选的实施方式中,本实用新型所提供的湿法刻蚀机,其注液孔沿注液装置的延伸方向设置一排;传统的注液孔通常设置有两排,设置一排注液孔更便于安排导气管的位置,从而提高气泡的排出率,进一步减少了气泡的产生。
在另一种优选的实施方式中,本实用新型所提供的湿法刻蚀机,其注液孔靠近注液腔的底部设置,以便为导气管的安装提供充足的空间,简化导气管的安装过程。
附图说明
图1为一种典型的湿法刻蚀机的结构示意图;
图2为图1所示湿法刻蚀机中注液装置的结构示意图;
图3为本实用新型所提供的湿法刻蚀机一种具体实施方式的结构示意图;
图4为图3所示湿法刻蚀机中注液装置的立体图;
图5为图4所示注液装置的侧视图;
图6为图4所示注液装置的俯视图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造