[实用新型]一种湿法刻蚀机有效
申请号: | 201320194314.0 | 申请日: | 2013-04-16 |
公开(公告)号: | CN203179850U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 李建朋;吴成新;王海涛;王月超;王超 | 申请(专利权)人: | 天津英利新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 301510 天津市滨海新区津汉公*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 | ||
1.一种湿法刻蚀机,包括内置有注液装置(21)的刻蚀槽(22)和与所述刻蚀槽(22)通过挡板(23)分隔的溢流槽(24),所述注液装置(21)的侧壁开设有注液孔(26);其特征在于,还包括导气管(25),所述导气管(25)的进气口设置于所述注液装置(21)的腔体内,且位于所述注液孔(26)的上方,所述导气管(25)的出气口设置于所述刻蚀槽(22)内。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述导气管(25)穿过所述注液装置(21)的侧壁。
3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述导气管(25)的数目为两根,且两所述导气管(25)并列设置。
4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述导气管(25)为PVDF管。
5.根据权利要求1至4任一项所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述注液孔(26)沿所述注液装置(21)的延伸方向设置一排。
6.根据权利要求5所述的湿法刻蚀机,其特征在于,所述注液孔(26)靠近所述注液装置(21)的底部设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造