[实用新型]一种晶体生长炉测温总成

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶体制备技术领域，特别涉及一种在晶体制备过程中所用到的晶体生长炉测温总成。

背景技术

随着现今工业的发展，对各种人造晶体的需求量与日俱增，并且随着技术的发展，工业中对于晶体的质量要求也越来越高，晶体一般是在具有特定热场条件的晶体生长炉中来制备的，高品质晶体的制备，对于晶体生长炉中的热场要求尤为苛刻，要使得晶体生长炉中的热场满足要求，就需要随时对热场中的温度进行监测。

晶体生长炉一般包括外部水冷腔体、设置于所述水冷腔体底部的坩埚轴、以及设置于所述坩埚轴周围用于对固定在坩埚轴端部的坩埚进行加热的加热器，加热器与水冷腔体的内壁之间设置有侧面保温屏，水冷腔体的顶部和底部还分别设置有顶部保温屏和底部保温屏，各个保温屏以及加热器共同构成晶体生长的热场，目前的晶体生长炉测温总成一般是将热电偶或者红外测控仪设置在外部水冷腔体上预留的测温点进行测温，并且目前的晶体生长炉中一般均只设置有一处测温点，因而热电偶或者红外测温仪仅能对热场中的某一位置进行温度测量，但是该种测量方法仅能够反应出热场某一点的温度，无法得知整体热场的温度状况，对于比较成熟的设备，当测量点的温度达到设计温度时可以认为热场符合晶体生长要求，但是对于新设备而言，仅有测量点处的温度达到设计值并不能肯定热场的其他部位也达到了设计温度，因而这就无法保证晶体的品质。

因此，如何能够提供一种晶体生长炉测温总成，以便能够对其内部的热场进行更为精确的监测，保证晶体的制备品质，是目前本领域技术人员亟需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种晶体生长炉测温总成，以求能够对晶体生长炉内部的热场进行精确的监测，从而为晶体的生长创造合适的条件，并为设备的改进提供参考数据。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的晶体生长炉测温总成，包括晶体生长炉本体和红外测温仪，所述晶体生长炉本体包括水冷腔体、设置于所述水冷腔体底部用于支撑坩埚的坩埚轴、设置于所述水冷腔体内部的加热器、侧面保温屏、底部保温屏和顶部保温屏，其特征在于，所述坩埚轴为空心轴，所述水冷腔体底部与所述坩埚轴的空心处对应位置设置有第一测温视窗，所述水冷腔体的侧面还设置有多个位于不同高度且可与坩埚侧面相对的第二测温视窗，且所述侧面保温屏和所述加热器上与所述第二测温视窗相同高度处均设置有透光孔；

所述红外测温仪通过调整支架设置于所述第一测温视窗和所述第二测温视窗处。

优选的，在上述方案中，所述第一测温视窗和所述第二测温视窗的具体结构包括：

开设于所述水冷腔体壁上的通孔，所述通孔的边缘设置有向所述水冷腔体外侧凸起的玻璃安装座；

设置于所述水冷腔体外侧，且覆盖在所述玻璃安装座上的透明玻璃，所述透明玻璃与所述安装座之间设置有密封件；

与所述玻璃安装座可拆装连接且用于将所述透明玻璃压紧于所述玻璃安装座上的固定法兰，所述固定法兰与所述透明玻璃之间设置有垫片。

优选的，在上述方案中，所述透明玻璃为石英玻璃。

优选的，在上述方案中，所述密封件为O型密封圈，所述垫片为特氟龙垫片。

优选的，在上述方案中，所述第一测温视窗和所述第二测温视窗均为圆形测温视窗。

优选的，在上述方案中，所述第二测温视窗包括两个，且两个所述测温视窗分别设置于靠近坩埚内液体的液面位置处和靠近于坩埚的底部位置处。

优选的，在上述方案中，两个所述第二测温视窗在竖直方向上相互错开。

优选的，在上述方案中，还包括设置于所述水冷腔体顶部的第三测温视窗，且所述顶部保温屏与所述第三测温视窗对应的位置设置有透光孔，所述水冷腔体的外部与所述第三测温视窗对应位置设置有红外测温仪。

由以上技术方案可以看出本实用新型所提供的晶体生长炉测温总成包括晶体生长炉本体和红外测温仪，并且晶体生长炉本体的坩埚轴为空心轴，晶体生长炉本体的水冷腔体与该空心轴的空心对应位置处设置有第一测温视窗，水冷腔体的侧面不同高度位置设置有多个第二测温视窗，并且多个第二测温视窗可与装入水冷腔体内部的坩埚侧面相对，从而方便对坩埚的侧面温度进行测量，晶体生长炉本体中与第二测温视窗同一高度处的侧面保温屏以及加热器上均可设有用于红外探测仪的光线通过的透光孔，红外测温仪通过调整支架设置在第一测温视窗和第二测温视窗处。