[实用新型]一种智能光刻版有效

专利信息
申请号: 201320162219.2 申请日: 2013-04-03
公开(公告)号: CN203250106U 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 关世瑛;杨忠武;王金秋 申请(专利权)人: 上海安微电子有限公司
主分类号: G03F1/44 分类号: G03F1/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200233 上海市徐汇*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 智能 光刻
【说明书】:

技术领域

本实用新型主要涉及到半导体芯片产品光刻过程使用的光刻版,其优点在于具有不使用专用测量设备,使用显微镜就能够快速读出特征尺寸的实际尺寸,提高工作效率,可节省购买专用测量设备及其设备维护的资金。 

背景技术

在半导体芯片产品加工过程中,对于半导体芯片产品的特征尺寸的监控是必要的工作,半导体芯片产品制造厂都投入大量的资金,用于采购专用测量设备及其设备的维护工作,以最基本3μm-METAL GATE的生产线一般需要2台以上分辨率在0.15μm以下的测试设备,用于测量半导体芯片产品生产过程中的特征尺寸,并且测量时间较长,影响生产效率;通常在半导体芯片生产厂都会使用很多用于检查表面图形的显微镜,常见的放大倍数有100X、200X、500X、1000X等。若能在表面检查的过程中直接、快速的读出半导体芯片产品生产过程中特征尺寸的实际尺寸,将提高生产效率,并节省用于购买专用测量设备及其设备维护的资金。 

发明内容

在半导体芯片产品生产过程中,同种介质层在一次加工时,只存在保留或不保留两种状态,且保留区与不保留区是相接的,同时具有同向等比例涨缩的特性,例如,在半导体芯片产品光刻加工过程中,光刻胶有保留和不保留两种区域,且光刻胶保留区与光刻胶不保留区两个区域相接,同时光刻胶保留区(不保留区)线条将向两侧发生等量涨(缩)或者缩(涨)。本实用新型,就是利用半导体芯片产品生产过程中这些的特性,通过目标特征尺寸的图形设计,形成可以看图读出特征尺寸的一种智能光刻版。 

本实用新型提供一种智能光刻版。 

一种智能光刻版,其特征在于: 

A、具有特征尺寸的标识(2),可不使用专用测量设备,使用显微镜就可以读出特征尺寸的实际尺寸,提高工作效率,降低投入资金;

B、光刻版(0)的特征尺寸的标识(2),设置在光刻版(0)的划片线(1)内;

C、光刻版(0)的特征尺寸的标识(2),由一组单元(31)、(32)、(33)、(34) 形成,一组单元不限于4个,可以为更多个;

D、光刻版(0)的特征尺寸的标识(2)的每个单元,由设计指定目标尺寸的保留区和不保留区共同形成;

E、光刻版(0)的特征尺寸的标识(2)的每个单元内的保留区和不保留区之间,与目标尺寸存在等量的差值,各单元之间的等量的差值呈等间隔的阶梯变化;

F、每个单元内标记数值(4)为读数时特征尺寸的实际数值。

本实用新型光刻版,使用显微镜可以从光刻版上的标识(2)可直接读出特征尺寸的实际尺寸;在光刻版图形影像到硅片上后,从影像到硅片上的标识(2)可直接读出由传递影像过程产生涨缩后的特征尺寸的实际尺寸;在硅片经过其它工艺过程,如烘焙、腐蚀或刻蚀后,从烘烤、腐蚀或刻蚀后的标识(2)可直接读出由加工过程产生涨缩后特征尺寸的实际尺寸。 

本实用新型的一种智能光刻版,能够实现不使用专用测试设备,在显微镜下就可以读出加工过程中特征尺寸的实际尺寸。 

附图说明

图1为本实用新型一种智能光刻版示意图(光刻版局部示意图); 

图2为光刻版的特征尺寸标识示意图;

图3为光刻版的特征尺寸为1μm的标识示意图;

图4为光刻版的特征尺寸为1μm的标识出现涨后示意图。

图5为光刻版的特征尺寸为1μm的标识出现缩后示意图。

图6为其他形式的特征尺寸标识示意图。

具体实施方式

图1示出了本实用新型的一种智能光刻版示意图,下面结合图1详细说明本实用新型的光刻版。 

该光刻版(0)在不占用主管芯(10)面积的划片线(1)内设有能够读特征尺寸的标识(2),具有不使用专用测量设备,使用显微镜就能够快速读出特征尺寸的实际尺寸,提高工作效率,可节省购买专用设备及其设备维护的资金。 

该光刻版(0)特征尺寸的标识(2),由单元(31)、(32)、(33)、(34)共同组成(实际设计时可为更多单元组成)。 

图2示出了本实用新型的一种智能光刻版的特征尺寸的标识(2)示意图,下面结合图2详细说明本实用新型的光刻版。 

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