[实用新型]一种智能光刻版有效
| 申请号: | 201320162219.2 | 申请日: | 2013-04-03 |
| 公开(公告)号: | CN203250106U | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
| 发明(设计)人: | 关世瑛;杨忠武;王金秋 | 申请(专利权)人: | 上海安微电子有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 智能 光刻 | ||
技术领域
本实用新型主要涉及到半导体芯片产品光刻过程使用的光刻版,其优点在于具有不使用专用测量设备,使用显微镜就能够快速读出特征尺寸的实际尺寸,提高工作效率,可节省购买专用测量设备及其设备维护的资金。
背景技术
在半导体芯片产品加工过程中,对于半导体芯片产品的特征尺寸的监控是必要的工作,半导体芯片产品制造厂都投入大量的资金,用于采购专用测量设备及其设备的维护工作,以最基本3μm-METAL GATE的生产线一般需要2台以上分辨率在0.15μm以下的测试设备,用于测量半导体芯片产品生产过程中的特征尺寸,并且测量时间较长,影响生产效率;通常在半导体芯片生产厂都会使用很多用于检查表面图形的显微镜,常见的放大倍数有100X、200X、500X、1000X等。若能在表面检查的过程中直接、快速的读出半导体芯片产品生产过程中特征尺寸的实际尺寸,将提高生产效率,并节省用于购买专用测量设备及其设备维护的资金。
发明内容
在半导体芯片产品生产过程中,同种介质层在一次加工时,只存在保留或不保留两种状态,且保留区与不保留区是相接的,同时具有同向等比例涨缩的特性,例如,在半导体芯片产品光刻加工过程中,光刻胶有保留和不保留两种区域,且光刻胶保留区与光刻胶不保留区两个区域相接,同时光刻胶保留区(不保留区)线条将向两侧发生等量涨(缩)或者缩(涨)。本实用新型,就是利用半导体芯片产品生产过程中这些的特性,通过目标特征尺寸的图形设计,形成可以看图读出特征尺寸的一种智能光刻版。
本实用新型提供一种智能光刻版。
、一种智能光刻版,其特征在于:
A、具有特征尺寸的标识(2),可不使用专用测量设备,使用显微镜就可以读出特征尺寸的实际尺寸,提高工作效率,降低投入资金;
B、光刻版(0)的特征尺寸的标识(2),设置在光刻版(0)的划片线(1)内;
C、光刻版(0)的特征尺寸的标识(2),由一组单元(31)、(32)、(33)、(34) 形成,一组单元不限于4个,可以为更多个;
D、光刻版(0)的特征尺寸的标识(2)的每个单元,由设计指定目标尺寸的保留区和不保留区共同形成;
E、光刻版(0)的特征尺寸的标识(2)的每个单元内的保留区和不保留区之间,与目标尺寸存在等量的差值,各单元之间的等量的差值呈等间隔的阶梯变化;
F、每个单元内标记数值(4)为读数时特征尺寸的实际数值。
本实用新型光刻版,使用显微镜可以从光刻版上的标识(2)可直接读出特征尺寸的实际尺寸;在光刻版图形影像到硅片上后,从影像到硅片上的标识(2)可直接读出由传递影像过程产生涨缩后的特征尺寸的实际尺寸;在硅片经过其它工艺过程,如烘焙、腐蚀或刻蚀后,从烘烤、腐蚀或刻蚀后的标识(2)可直接读出由加工过程产生涨缩后特征尺寸的实际尺寸。
本实用新型的一种智能光刻版,能够实现不使用专用测试设备,在显微镜下就可以读出加工过程中特征尺寸的实际尺寸。
附图说明
图1为本实用新型一种智能光刻版示意图(光刻版局部示意图);
图2为光刻版的特征尺寸标识示意图;
图3为光刻版的特征尺寸为1μm的标识示意图;
图4为光刻版的特征尺寸为1μm的标识出现涨后示意图。
图5为光刻版的特征尺寸为1μm的标识出现缩后示意图。
图6为其他形式的特征尺寸标识示意图。
具体实施方式
图1示出了本实用新型的一种智能光刻版示意图,下面结合图1详细说明本实用新型的光刻版。
该光刻版(0)在不占用主管芯(10)面积的划片线(1)内设有能够读特征尺寸的标识(2),具有不使用专用测量设备,使用显微镜就能够快速读出特征尺寸的实际尺寸,提高工作效率,可节省购买专用设备及其设备维护的资金。
该光刻版(0)特征尺寸的标识(2),由单元(31)、(32)、(33)、(34)共同组成(实际设计时可为更多单元组成)。
图2示出了本实用新型的一种智能光刻版的特征尺寸的标识(2)示意图,下面结合图2详细说明本实用新型的光刻版。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海安微电子有限公司,未经上海安微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320162219.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:线列多路开关
- 下一篇:一种覆膜塑料眼镜框架
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





