[实用新型]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及一种显示装置。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN（Twisted Nematic，扭曲向列）模式、VA（Vertical Alignment，垂直取向）模式、IPS（In-Plane-Switching，平面方向转换）模式和AD-SDS（ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术，简称ADS）模式等。

其中，基于ADS模式的显示器通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。

如图1所示，现有技术的ADS模式的TFT-LCD阵列基板结构示意图，图为俯视图；图2为图1的A-A面的断面结构示意图，可以更好地看到阵列基板内部结构，如图1和图2所示，其结构包括：衬底基板1，形成于衬底基板1之上的公共电极3（即板状电极）、公共电极线2以及扫描线12（包括栅极4），其中，公共电极线2与公共电极3电连接，还包括栅极绝缘层5，有源层7，数据线11（包括源极8、漏极9），钝化层6，多个像素电极10（即狭缝电极）。每一个阵列基板包括多条平行的扫描线12和与扫描线12垂直的多条平行的数据线11，由数据线11和扫描线12交叉形成的矩形区称为像素区，每一个像素区内有一个薄膜晶体管，一行薄膜晶体管设置有一条与这行的薄膜晶体管的栅极连接的扫描线。

如图3所示，现有技术ADS模式的TFT-LCD液晶盒的结构示意图，即彩膜基板和阵列基板对盒的结构示意图，彩膜基板内的彩色滤光层21以彩色光阻作为滤光膜层覆盖于像素区，每个彩色滤光层可以透过红绿蓝三原色其中一种原色的光，而黑矩阵22需要覆盖在薄膜晶体管、扫描线12、数据线11及公共电极线2上以防各像素间漏光，并且能增加三原色的对比度。

现有技术存在的缺陷在于，由于阵列基板上公共电极线的存在，彩膜基板上黑矩阵就要覆盖在公共电极线上方，导致面板的开口率和透过率较低。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种阵列基板及一种显示装置，用以提高面板的开口率和透过率，进而提高面板的亮度。

本实用新型阵列基板，包括衬底基板和阵列排布的多个薄膜晶体管，还包括：

位于所述衬底基板上的公共电极线；

位于所述衬底基板上与所述公共电极线电连接的至少一个公共电极；

覆盖所述公共电极线、公共电极和衬底基板的绝缘层；

所述多个薄膜晶体管位于所述绝缘层上，并且与每一行所述薄膜晶体管的栅极连接的扫描线位于所述公共电极线的上方。

优选的，所述公共电极位于所述公共电极线的两侧并与所述公共电极线电连接。

优选的，所述绝缘层为氮化硅绝缘层。

优选的，所述的阵列基板，还包括：

覆盖所述薄膜晶体管的钝化层；

位于所述钝化层上的多个像素电极，所述像素电极位于所述公共电极的上方。

优选的，所述像素电极为氧化铟锡像素电极。

优选的，所述公共电极为氧化铟锡公共电极。

本实用新型还涉及一种显示装置，包括上述任一种所述的阵列基板。

在本实用新型阵列基板中，由于所述公共电极线位于扫描线的下方，并且扫描线与公共电极线间采用绝缘层进行绝缘，因此，彩膜基板的黑矩阵只覆盖至扫描线上方即可，因此黑矩阵的线宽可以相应减小，进而提高了面板开口率和透过率。此外，由于公共电极上方增加了一层绝缘层，因此，可以有效降低存储电容，从而减小像素的充电时间，也利于制作高解像度的产品。

附图说明

图1为现有技术ADS模式的TFT-LCD阵列基板结构示意图；

图2为图1的A-A面的断面结构示意图；

图3为现有技术ADS模式的TFT-LCD液晶盒的结构示意图；

图4为本实用新型阵列基板一实施例结构示意图；

图5为图4的B-B面的断面结构示意图；