[实用新型]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201320156700.0 | 申请日: | 2013-04-01 |
公开(公告)号: | CN203133454U | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 吴洪江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 杜秀科 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底基板和阵列排布的多个薄膜晶体管,其特征在于,还包括:
位于所述衬底基板上的公共电极线;
位于所述衬底基板上与所述公共电极线电连接的公共电极;
覆盖所述公共电极线、公共电极和衬底基板的绝缘层;
所述多个薄膜晶体管位于所述绝缘层上,并且与每一行所述薄膜晶体管的栅极连接的扫描线位于所述公共电极线的上方。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极位于所述公共电极线的两侧并与所述公共电极线电连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层为氮化硅绝缘层。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
覆盖所述薄膜晶体管的钝化层;
位于所述钝化层上的多个像素电极,所述像素电极位于所述公共电极的上方。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极为氧化铟锡像素电极。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极为氧化铟锡公共电极。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~6中任一项所述的阵列基板。
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