[实用新型]一种具有双面腔体的封装外壳

说明书

技术领域

本实用新型属于混合集成电路封装技术领域，涉及一种具有双面腔体的封装外壳。

背景技术

目前混合集成电路的封装外壳大多数是金属外壳，引脚是针式的，引脚间距是2.54mm，窄间距的是1.27mm，受到封装尺寸和引脚引出方式的限制，引脚的数量一般不会超过封装周长除以引脚间距。高密度的混合集成电路和系统集成电路的封装开始采用陶瓷外壳，引脚方式有针式直插、针栅阵列（PGA）、球栅阵列（BGA）、CQFP等，但这些均是单面单腔体的封装外壳，受封装外形尺寸的限制，内腔尺寸不能满足多芯片、高密度的集成。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题在于提供一种具有双面腔体的封装外壳，能够使多芯片高密度混合集成电路的控制逻辑与模拟电源封装在小的封装体内，实现高密度封装。

本实用新型是通过以下技术方案来实现：

一种具有双面腔体的封装外壳，包括内布有导线的陶瓷基底，陶瓷基底与下陶瓷墙、下盖板合围构成下腔体，陶瓷基底与上陶瓷墙、上盖板合围构成上腔体。

所述的陶瓷基底的上下面的四周均设有陶瓷墙。

所述的下盖板、上盖板上均设有供粘接元器件芯片的金属导带图形和与金属导带互连的键合指。

所述的下陶瓷墙上植入有外引脚形成电路的I/O引脚。

所述的引脚从四边引出直插式，间距为1.27mm，引脚截面积是0.46mm×0.25mm，每边17脚，共68脚。

所述的下陶瓷墙与下盖板通过下封焊环相连接，上陶瓷墙与上盖板通过上封焊环相连接。

所述的上陶瓷墙与上盖板通过上封焊环平行缝焊；下陶瓷墙与下盖板通过下封焊环金锡封口。

所述陶瓷基底上形成上腔体的面积大于形成下腔体的面积。

所述的下腔体内组装有控制器芯片或驱动器芯片，上腔体内组装有电源转换电路。

所述的下腔体内元器件的组装完成后，下陶瓷墙与下盖板下腔体金锡封口；再进行上腔体内元器件的组装，组装完成后将上陶瓷墙与上盖板行平行缝焊。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益的技术效果：

本实用新型提供的具有双面腔体的封装外壳，可以将控制器芯片或驱动器芯片（控制逻辑）封装在下腔体内，将电源转换电路（模拟电源）封装在上腔体内，上下腔体的电信号通过导线连通，从而能够使多芯片高密度混合集成电路封装在小的封装体内，实现高密度封装。

本实用新型提供的具有双面腔体的封装外壳，体积小（可达28.0mm×28.0mm×8.0mm），而且还能够具有多达68脚的引脚数。

本发明提供的具有双面腔体的封装外壳，是一种高密度的三维组装/封装，达到了系统集成在电性能、封装尺寸的要求。采用具有双面腔体的封装外壳的LHB155304P电路的可靠性达到GJB2438A-2002H级。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型底部示意图；

其中：1-下盖板，2-下腔体，3-引脚，4-下封焊环，5-下陶瓷墙，6-上陶瓷墙，7-上封焊环，8-上盖板，9-上腔体，10-陶瓷基底。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步详细描述，所述是对本实用新型的解释而不是限定。

参见图1、图2，一种具有双面腔体的封装外壳，包括内布有导线的陶瓷基底10，陶瓷基底10与下陶瓷墙5、下盖板1合围构成下腔体2，陶瓷基底10与上陶瓷墙6、上盖板8合围构成上腔体9。

进一步，所述的陶瓷基底10的上下面的四周均设有陶瓷墙与相应的盖板配合形成上下两个腔体；陶瓷基底内布有导线，以连接上、下腔体内封装的元件。为了适应不同器件的安装，下腔体、上腔体的尺寸可不相同。具体的陶瓷基底10上形成上腔体9的面积大于形成下腔体2的面积。

具体的陶瓷基底为高温陶瓷，

所述的下盖板1、上盖板8上均设有供粘接元器件芯片的金属导带图形和与金属导带互连的键合指。所述的下陶瓷墙5的墙面较宽，在其上植入有外引脚，以形成电路的I/O引脚。所述的引脚从四边引出直插式，间距为1.27mm，引脚截面积是0.46mm×0.25mm，每边17脚，共68脚。

所述的下陶瓷墙5与下盖板1通过下封焊环4相连接，上陶瓷墙6与上盖板8通过上封焊环7相连接。上、下封焊环和上、下盖板均是可伐材料，与陶瓷和芯片有相近的热膨胀系数。

具体的所述的上陶瓷墙6与上盖板8通过上封焊环7平行缝焊；下陶瓷墙5与下盖板1通过下封焊环4金锡封口。