[实用新型]发光二极管支架有效
| 申请号: | 201320143264.3 | 申请日: | 2013-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN203312355U | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
| 发明(设计)人: | 王鹏辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市斯迈得光电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 支架 | ||
1.发光二极管支架,其特征在于它是由封装基座(1)、引线框架(2)、反射凹部(3)、半封闭形沟槽(4)组成;封装基座(1)设置在引线框架(2)上,且封装基座(1)与引线框架(2)成型为一体,封装基座(1)在引线框架上围设成反射凹部(3),且反射凹部(3)的底面包含有引线框架(2)的上表面,引线框架(2)的上表面与封转基座(1)结合处设置有开口方向朝向反射凹部(3)的半封闭形沟槽(4),且半封闭形沟槽(4)环绕反射凹部(3)的底面边缘。
2.根据权利要求1所述的发光二极管支架,其特征在于所述的封装基座(1)是由陶瓷材料制成。
3.根据权利要求1所述的发光二极管支架,其特征在于所述的引线框架(2)为平板状,且以成正负一对的方式以特定的间隔隔开设置,引线框架(2)采用表面镀银的铜制成。
4.根据权利要求1所述的发光二极管支架,其特征在于所述的引线框架(2)采用表面镀银的铜合金制成。
5.根据权利要求1所述的发光二极管支架,其特征在于所述的半封闭形沟槽(4)为U形。
6.根据权利要求1所述的发光二极管支架,其特征在于所述的半封闭形沟槽(4)为C形。
7.根据权利要求1所述的发光二极管支架,其特征在于所述的半封闭形沟槽(4)的深度为引线框架(2)最大厚度的一半。
8.根据权利要求1所述的发光二极管支架,其特征在于所述的半封闭形沟槽(4)的数量为1-5个。
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