[实用新型]用于保护继电器触点的保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及继电器，尤其涉及一种用于保护继电器触点的保护电路。 

背景技术

在功率较大的负载，如电机、烤箱等启动或断开的瞬间，会产生比正常使用时大得多的电流或电压，一般为正常工作时5-10倍。这些产品如果单纯依靠继电器来通断负载，极易将触点烧坏乃至使继电器失效，甚至直接对使用者人身或财产安全造成隐患。 

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种保护电路，用于避免在继电器通断功率较大负载的瞬间所产生的电流或电压将触点烧坏的情况。 

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种用于保护继电器K1触点的保护电路，包括一与所述继电器K1并联的双向可控硅TR1、与所述继电器K1线圈电性连接的继电器驱动电路200、与所述双向可控硅TR1电性连接的可控硅驱动电路300以及CPU100；所述CPU100包括至少两个用于输入及输出信号的接口I/O1、I/O2，其中一个所述接口I/O1经所述继电器驱动电路200与所述继电器K1电性连接，另一个所述接口I/O2经所述可控硅驱动电路300与所述双向可控硅TR1电性连接；所述继电器K1的两个触点分别与所述双向可控硅TR1的第一主端子T1和第二主端子T2电性连接。 

本实用新型上述的保护电路中，所述继电器驱动电路200包括一与所述继电器K1的线圈并联的保护二极管D2；所述保护二极管D2的阴极接电源VCC，其阳极接一三极管Q2的集电极；所述三极管Q2的基极经一保护电阻R6与所述CPU100的所述接口I/O1电性连接，其发射极接地；所述三极管Q2的发 射极还经一滤波电容C3与所述接口I/O1电性连接。 

本实用新型上述的保护电路中，所述可控硅驱动电路300包括一光耦U1，所述光耦U1中的二极管的阳极与所述接口I/O2电性连接，所述光耦U1中的二极管的阴极接地；所述光耦U1中的三极管的集电极接地，并与一晶闸管Q1的阳极QA电性连接，还与所述晶闸管Q1的阴极QK电性连接；所述光耦U1中的三极管的发射极与所述晶闸管Q1的门极QG电性连接；所述晶闸管Q1的门极QG接地；所述晶闸管Q1的阳极QA还与一镇流器D5的正极电性连接；所述镇流器D5的负极接地，所述镇流器D5的第一输入端电性连接所述双向可控硅TR1的所述第二主端子T2；所述镇流器D5的第二输入端与所述双向可控硅TR1的门极TG电性连接。 

本实用新型上述的保护电路中，所述双向可控硅TR1的所述第一主端子T1和门极TG之间连接有第一电容C1。 

本实用新型上述的保护电路中，所述双向可控硅TR1的门极TG与所述镇流器D5的第二输入端之间连接有稳压二极管DW2。 

本实用新型上述的保护电路中，所述光耦U1中的三极管的集电极通过反接的另一个稳压二极管DW1接地，该稳压二极管DW1的阳极和阴极之间连接有第二电容C2；所述光耦U1中的三极管的集电极还通过反接的保护二极管D1与所述晶闸管Q1的阴极QK电性连接；所述光耦U1中的三极管的集电极与所述晶闸管Q1的阳极QA之间连接有第三电阻R3；所述保护二极管D1的阳极经第四电阻R4接地。 

本实用新型上述的保护电路中，所述光耦U1中的三极管的发射极与所述晶闸管Q1的门极QG之间连接有第二电阻R2；所述晶闸管Q1的门极QG还经并联的第五电阻R5与第四电容C4接地。 

本实用新型提供的保护电路，在继电器K1闭合前，驱动双向可控硅TR1闭合，避免继电器K1闭合时产生的较大电流将该继电器K1的触点烧坏；进一步地，在继电器K1断开前，先将双向可控硅TR1导通，降低继电器K1断开时的电压冲击，起到了保护继电器K1触点的目的。 

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中： 

图1为本实用新型实施例提供的一种用于保护继电器触点的保护电路。 

具体实施方式

图1示出了本实用新型实施例提供的一种用于保护继电器触点的保护电路，可用于保护一继电器K1的触点，避免该等触点在继电器K1通断瞬间被瞬时产生的过大电流烧坏。该保护电路包括一与继电器K1并联的双向可控硅TR1、与继电器K1线圈电性连接的继电器驱动电路200、与双向可控硅TR1电性连接的可控硅驱动电路300以及CPU100；CPU100包括至少两个用于输入及输出信号的接口I/O1、I/O2，其中一个接口I/O1经继电器驱动电路200与继电器K1电性连接，另一个接口I/O2经可控硅驱动电路300与双向可控硅TR1电性连接；继电器K1的两个触点分别与双向可控硅TR1的第一主端子T1和第二主端子T2电性连接。