[实用新型]用于保护继电器触点的保护电路

权利要求书

1.一种用于保护继电器（K1）触点的保护电路，其特征在于，包括一与所述继电器（K1）并联的双向可控硅（TR1）、与所述继电器（K1）线圈电性连接的继电器驱动电路（200）、与所述双向可控硅（TR1）电性连接的可控硅驱动电路（300）以及CPU（100）；所述CPU（100）包括至少两个用于输入及输出信号的接口（I/O1、I/O2），其中一个所述接口（I/O1）经所述继电器驱动电路（200）与所述继电器（K1）电性连接，另一个所述接口（I/O2）经所述可控硅驱动电路（300）与所述双向可控硅（TR1）电性连接；所述继电器（K1）的两个触点分别与所述双向可控硅（TR1）的第一主端子（T1）和第二主端子（T2）电性连接。 

2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述继电器驱动电路（200）包括一与所述继电器（K1）的线圈并联的保护二极管（D2）；所述保护二极管（D2）的阴极接电源（VCC），其阳极接一三极管（Q2）的集电极；所述三极管（Q2）的基极经一保护电阻（R6）与所述CPU（100）的所述接口（I/O1）电性连接，其发射极接地；所述三极管（Q2）的发射极还经一滤波电容（C3）与所述接口（I/O1）电性连接。 

3.根据权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述可控硅驱动电路（300）包括一光耦（U1），所述光耦（U1）中的二极管的阳极与所述接口（I/O2）电性连接，所述光耦（U1）中的二极管的阴极接地；所述光耦（U1）中的三极管的集电极接地，并与一晶闸管（Q1）的阳极（QA）电性连接，还与所述晶闸管（Q1）的阴极（QK）电性连接；所述光耦（U1）中的三极管的发射极与所述晶闸管（Q1）的门极（QG）电性连接；所述晶闸管（Q1）的门极（QG）接地；所述晶闸管（Q1）的阳极（QA）还与一镇流器（D5）的正极电性连接；所述镇流器（D5）的负极接地，所述镇流器（D5）的第一输入端电性连接所述双向可控硅（TR1）的所述第二主端子（T2）；所述镇流器（D5）的第二输入端与所述双向可控硅（TR1）的门极（TG）电性连接。 

4.根据权利要求3所述的保护电路，其特征在于，所述双向可控硅（TR1）的所述第一主端子（T1）和门极（TG）之间连接有第一电容（C1）。 

5.根据权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述双向可控硅（TR1）的门极（TG）与所述镇流器（D5）的第二输入端之间连接有稳压二极管（DW2）。 

6.根据权利要求5所述的保护电路，其特征在于，所述光耦（U1）中的三极管的集电极通过反接的另一个稳压二极管（DW1）接地，该稳压二极管（DW1）的阳极和阴极之间连接有第二电容（C2）；所述光耦（U1）中的三极管的集电极还通过反接的保护二极管（D1）与所述晶闸管（Q1）的阴极（QK）电性连接；所述光耦（U1）中的三极管的集电极与所述晶闸管（Q1）的阳极（QA）之间连接有第三电阻（R3）；所述保护二极管（D1）的阳极经第四电阻（R4）接地。 

7.根据权利要求6所述的保护电路，其特征在于，所述光耦（U1）中的三极管的发射极与所述晶闸管（Q1）的门极（QG）之间连接有第二电阻（R2）；所述晶闸管（Q1）的门极（QG）还经并联的第五电阻（R5）与第四电容（C4）接地。