[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320118515.2 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203250741U | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | O.布兰克;R.西米尼克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包含：
位于沟槽中的场板（13）；
相邻沟槽之间第一导电型的源区（8）；
相邻沟槽之间源区（8）下方的第二导电型的体区（7）；
电介质层（17）上的互连层（11），其中互连层（11）经由电介质层（17）中的至少两个接触孔电连接到同一场板（13），
其中所述源区和/或体区比体区下面相邻沟槽之间的台面漂移区宽。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包含沟槽中的栅电极（12）。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包含沟槽绝缘结构（10），其将场板（13）与栅电极（12）彼此绝缘并且将场板（13）和栅电极（12）与体区（7）和源区（8）绝缘。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述绝缘结构（10）的部分在体区（7）下面延伸。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述源区和/或体区比台面漂移区宽至少沟槽侧壁上的沟槽绝缘结构的平均宽度的75％。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述源区和/或体区比台面漂移区宽不超过沟槽侧壁上的沟槽绝缘结构的平均宽度的100%。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟槽的下部比所述台面漂移区宽。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包含用于接触场板（13）的凹槽接触（c）。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述凹槽接触（c）具有至少与场板（13）一样宽的宽度。
10.一种半导体器件，包含：
位于沟槽中的栅电极（12）；
相邻沟槽之间的台面区；
电介质层上的互连层，其中互连层经由电介质层中的至少两个接触孔电连接到同一栅电极（12），
其中所述台面区上部比下部宽。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，进一步包含沟槽侧壁上用于将栅电极（12）与台面区绝缘的沟槽绝缘结构（10）。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述台面区上部比下部宽至少沟槽绝缘结构的平均宽度的75％。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述台面区上部比下部宽不超过沟槽绝缘结构的平均宽度的100%。
14.根据权利要求10所述的半导体器件，进一步包含用于接触栅电极（12）的凹槽接触。
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述凹槽接触具有至少与栅电极（12）一样宽的宽度。
16.根据权利要求10所述的半导体器件，进一步包含源区（8）和体区（7）。
17.根据权利要求10-16任一项所述的半导体器件，其中所述半导体器件是IGBT。
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