[实用新型]一种气体分流面板有效
申请号: | 201320094041.2 | 申请日: | 2013-03-01 |
公开(公告)号: | CN203128655U | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 黄涛;胡平 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 气体 分流 面板 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种有机分子束沉积系统(OMBD)中的气体分流面板。
背景技术
在有机分子束沉积的过程中,气体通过一个气体分流面板沉积到晶圆上,请参考图1,所述气体分流面板100上设有若干通孔101,若干所述通孔101平行排列,形成若干通孔排102,若干通孔排102沿着直径对称分布,即在图1中,沿着水平的直径,上下对称分布。图1中仅显示了通孔101和通孔排102的分布方式,为了显示方便,其尺寸、大小比例和通孔数量等均非采用真实数据,通常,通孔101的孔径为3.85mm,通孔101的数量为5008个。
然而,平行排列的通孔排102会导致沉积的厚度不均匀,沉积厚度的范围较大,同时,由于沉积设备的固有特性,气体的沉积是从中心向外扩散的,很容易导致晶圆边缘的沉积无法达到需求。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够实现沉积厚度均匀的气体分流面板。
为了解决这个问题,本发明提供了一种气体分流面板,用于有机分子束沉积,所述气体分流面板为圆形,所述气体分流面板上设有若干通孔,若干所述通孔形成若干与所述气体分流面板同心的通孔圈,若干所述通孔圈的通孔的数量沿所述气体分流面板的径向向外递增。
除最外层通孔圈以外的其他通孔圈的通孔的数量沿所述气体分流面板的径向向外等差递增,且最外层通孔圈的通孔的数量与相邻的通孔圈的通孔的数量的差值大于该等差递增的公差。
除最外层通孔圈以外的其他通孔圈的通孔的数量沿所述气体分流面板的径向向外等差递增的公差为6个。
所述最外层通孔圈的通孔的数量与相邻的通孔圈的通孔的数量的差值为15。
最外层通孔圈的通孔的数量为相邻的通孔圈的通孔的数量的1.03倍。
所述通孔的数量为7966个。
所述最外层通孔圈距离所述气体分流面板边缘的距离小于10毫米。
所述最外层通孔圈距离所述气体分流面板边缘的距离为4至5毫米。
所述通孔的孔径小于1mm,所述通孔的孔径为0.71mm。
若干所述通孔圈之间的间距相同。
本实用新型通过将若干通孔呈圈状排列,形成若干通孔圈,以适应沉积设备中气体从中心向外扩散的气流分布方式,进而使得晶圆表面的沉积的效果更佳,沉积的厚度相对均匀了,同时,通过将通孔圈内的通孔数量沿所述气体分流面板的径向向外递增实现沉积的厚度分布更加均匀。提供了一种能够实现沉积厚度均匀的气体分流面板。
附图说明
图1是现有技术中的气体分流面板的结构示意图;
图中,100—气体分流面板;101—通孔;102—通孔排;
图2是本实用新型一实施例提供的气体分流面板的结构示意图;
图中,200—气体分流面板;201—通孔;202—通孔圈。
具体实施方式
以下将结合图2对本实用新型提供的气体分流面板及其作用进行详细的描述,其为本实用新型一可选的实施例,可以认为本领域的技术人员可以根据公知的常识在不修改本实用新型内容和精神的范围内对其进行修改和润色。
请参考图2,图2中仅显示了通孔201和通孔排202的分布方式,为了显示方便,其尺寸、大小比例和通孔数量等均非采用真实数据,本实施例提供了一种气体分流面板200,用于有机分子束沉积,所述气体分流面板200为圆形,所述气体分流面板200上设有若干通孔201,若干所述通孔201形成若干与所述气体分流面板200同心的通孔圈202,若干所述通孔圈202的通孔201的数量沿所述气体分流面板200的径向向外递增。除了形成通孔圈202的通孔201外,在气体分流面板200的圆心位置上还设有一个通孔。
本实施例通过将若干通孔201呈圈状排列,形成若干通孔圈202,以适应沉积设备中气体从中心向外扩散的气流分布方式,进而使得晶圆表面的沉积的效果更佳,沉积的厚度相对均匀了,同时,通过将通孔圈202内的通孔201数量沿所述气体分流面板200的径向向外递增实现沉积的厚度分布更加均匀。提供了一种能够实现沉积厚度均匀的气体分流面板。
除最外层通孔圈202以外的其他通孔圈202的通孔201的数量沿所述气体分流面板200的径向向外等差递增,且最外层通孔圈202的通孔的数量与相邻的通孔圈202的通孔201的数量的差值大于该等差递增的公差。这是因为在沉积过程中,由于沉积设备本身的特性,边缘区域的沉积气体流通的较少,故而本实施例在最外层通孔圈202设置更多数量的通孔,使得此处流通足够的沉积气体,从而使得沉积的效果更佳,沉积的厚度分布更加均匀。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320094041.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种摇摆式铸件酸洗装置
- 下一篇:一种新型淬火用喷嘴梁装置
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的